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1. (WO2017145537) DISPOSITIF D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'IMAGERIE
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N° de publication : WO/2017/145537 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/000533
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 11.01.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/357 (2011.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01) ,H04N 5/378 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
357
Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
378
Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé [CDS], amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
Déposants :
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs :
中溝 正彦 NAKAMIZO, Masahiko; JP
Mandataire :
丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu; JP
Données relatives à la priorité :
2016-03107422.02.2016JP
Titre (EN) IMAGING DEVICE AND IMAGING DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置および撮像装置の製造方法
Abrégé :
(EN) The objective of the invention is to reduce the influence of noise in an imaging device configured from a plurality of semiconductor chips. In this invention, a first semiconductor chip comprises: a signal input transistor having a control terminal whereinto an input signal is inputted, the input signal being a signal corresponding to incoming light; a reference input transistor constituting a differential pair with the signal input transistor, and having a control terminal whereinto a reference signal is inputted; a first signaling line for transmitting a change in current as a comparison result between the input signal and the reference signal when the current flowing in either one of the signal input transistor and the reference input transistor changes in response to a difference between the input signal and the reference signal; and a first pad electrically connected to the first signaling line. A second semiconductor chip comprises: a processing circuit for processing the comparison result; a second signaling line electrically connected to the processing circuit, for transmitting the comparison result to the processing circuit; and a second pad electrically connected to the second signaling line while being electrically connected to the first pad.
(FR) L'objectif de l'invention est de réduire l'influence du bruit dans un dispositif d'imagerie constitué d'une pluralité de puces de semi-conducteur. Dans cette invention, une première puce de semi-conducteur comprend : un transistor d'entrée de signal comprenant une borne de commande à laquelle est appliqué un signal d'entrée, le signal d'entrée étant un signal correspondant à de la lumière entrante ; un transistor d'entrée de référence constituant une paire différentielle avec le transistor d'entrée de signal, et comprenant une borne de commande à laquelle est appliqué un signal de référence ; une première ligne de signalisation pour transmettre une variation de courant à titre de résultat de comparaison entre le signal d'entrée et le signal de référence lorsque le courant circulant dans le transistor d'entrée de signal ou le transistor d'entrée de référence varie en réponse à une différence entre le signal d'entrée et le signal de référence ; et un premier plot électriquement connecté à la première ligne de signalisation. Une deuxième puce de semi-conducteur comprend : un circuit de traitement pour traiter le résultat de comparaison ; une deuxième ligne de signalisation électriquement connectée au circuit de traitement, pour transmettre le résultat de comparaison au circuit de traitement ; et un deuxième plot électriquement connecté à la deuxième ligne de signalisation tout en étant électriquement connecté au premier plot.
(JA) 複数の半導体チップにより構成された撮像装置においてノイズの影響を軽減する。 第1の半導体チップは、入射した光に応じた信号である入力信号が制御端子に入力される信号入力トランジスタと、信号入力トランジスタと差動対を構成して参照信号が制御端子に入力される参照入力トランジスタと、信号入力トランジスタおよび参照入力トランジスタの何れか1つに流れる電流が入力信号と参照信号との差分に応じて変化した際に当該電流の変化を入力信号と参照信号との比較の結果として伝達する第1の信号線と、第1の信号線と電気的に接続される第1のパッドとを備える。第2の半導体チップは、比較の結果を処理する処理回路と、処理回路に電気的に接続されて比較の結果を処理回路に伝達する第2の信号線と、第2の信号線に電気的に接続されるとともに第1のパッドと電気的に接続される第2のパッドとを備える。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)