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1. (WO2017145470) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE, ET TRANCHE ÉPITAXIALE
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N° de publication :    WO/2017/145470    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/085046
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 25.11.2016
CIB :
H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP)
Inventeurs : KOGA Yoshihiro; (JP)
Mandataire : SUGIMURA Kenji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-034448 25.02.2016 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL WAFER, AND EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE, ET TRANCHE ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: a method for producing an epitaxial wafer, which is capable of suppressing diffusion of an impurity from a supporting substrate into an epitaxial layer; and an epitaxial wafer. This method for producing an epitaxial wafer is characterized by comprising: an epitaxial layer formation step wherein an epitaxial layer 17 is formed on the surface of a wafer 11 for an active layer; a gettering layer formation step wherein a gettering layer 16 containing an element that contributes to gettering of a heavy metal is formed within at least one of a wafer 12 for a supporting substrate and the epitaxial layer 17; a bonding step wherein an amorphous layer 18 is formed on each of the surface of the epitaxial layer 17 and the surface of the wafer 12 for a supporting substrate by subjecting the surfaces to an activation treatment in a vacuum environment at room temperature, and the wafer 11 for an active layer and the wafer 12 for a supporting substrate are subsequently bonded to each other, with the amorphous layers 18 on both surfaces being interposed therebetween; and a substrate removal step wherein the wafer 11 for an active layer is removed, thereby exposing the epitaxial layer 17.
(FR)L'invention concerne : un procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale, qui peut supprimer la diffusion d'une impureté provenant d'un substrat de support dans une couche épitaxiale ; et une tranche épitaxiale. Ce procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de formation de couche épitaxiale à laquelle une couche épitaxiale (17) est formée sur la surface d'une tranche (11) pour couche active ; une étape de formation de couche de d'absorption de gaz à laquelle une couche d'absorption de gaz (16) contenant un élément qui contribue à l'absorption d'un métal lourd est formée dans une tranche (12) pour substrat de support et/ou dans la couche épitaxiale ; une étape de collage à laquelle une couche amorphe (18) est formée sur la surface de la couche épitaxiale (17) et sur la surface de la tranche (12) pour substrat de support par soumission des surfaces à un traitement d'activation dans un environnement sous vide à température ambiante, et la tranche (11) pour couche active et la tranche (12) pour substrat de support sont ensuite collées l'une à l'autre, avec les couches amorphes (18) sur les deux surfaces intercalées entre elles ; et une étape d'élimination de substrat à laquelle la tranche (11) pour couche active est éliminée, mettant ainsi à nu la couche épitaxiale (17).
(JA)支持基板からエピタキシャル層への不純物の拡散を抑制することができるエピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハを提供する。 活性層用ウェーハ11の表面上にエピタキシャル層17を形成するエピタキシャル層形成工程と、支持基板用ウェーハ12およびエピタキシャル層17の少なくとも一方の内部に重金属のゲッタリングに寄与する元素を含むゲッタリング層16を形成するゲッタリング層形成工程と、真空かつ常温の環境下において、エピタキシャル層17の表面および支持基板用ウェーハ12の表面に対して活性化処理を施して両表面にアモルファス層18を形成した後、活性層用ウェーハ11と支持基板用ウェーハ12とを、両表面のアモルファス層18を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、活性層用ウェーハ11を除去してエピタキシャル層17を露出する基板除去工程とを有することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)