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1. (WO2017142141) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PELLICULE POUR RAYONNEMENT ULTRAVIOLET EXTRÊME UTILISANT UN SUBSTRAT DE COUCHE SACRIFICIELLE ORGANIQUE
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N° de publication : WO/2017/142141 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/007855
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 19.07.2016
CIB :
G03F 1/62 (2012.01) ,G03F 1/00 (2012.01) ,G03F 1/66 (2012.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
62
Pellicules, p.ex. assemblage de pellicules ayant une membrane sur un cadre de support; Leur préparation
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
66
Réceptacles spécialement adaptés aux masques, aux masques vierges ou aux pellicules; Leur préparation
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
203
en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation
Déposants : FINE SEMITECH CORPORATION[KR/KR]; #15-23, Dongtansandan 6-gil, Dongtan-myeon, Hwaseong-si, Gyeonggi-do 18487, KR
Inventeurs : CHO, Sang Jim; KR
KIM, Myung Jun; KR
PARK, Don Won; KR
KIM, Ji Kang; KR
Mandataire : DYNE PATENT & LAW FIRM; #705, 7th Floor, 16, Neuti-ro, Bundang-gu, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13558, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-001867317.02.2016KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PELLICLE FOR EXTREME ULTRAVIOLET USING ORGANIC SACRIFICIAL LAYER SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PELLICULE POUR RAYONNEMENT ULTRAVIOLET EXTRÊME UTILISANT UN SUBSTRAT DE COUCHE SACRIFICIELLE ORGANIQUE
(KO) 유기물 희생층 기판을 이용한 초극자외선용 펠리클의 제조방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for manufacturing a pellicle for lithography used as a dust protective film when manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display or the like and, more particularly, to a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet (EUV). According to the present invention, provided is a method for manufacturing a pellicle for EUV, comprising the steps of: a) manufacturing an organic substrate; b) forming an inorganic thin film layer on the organic substrate; c) attaching, to a pellicle frame, the organic substrate on which the inorganic thin film layer is formed; and d) removing at least a part of the organic substrate by dry ashing.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une pellicule pour lithographie utilisée comme film de protection contre la poussière lors de la fabrication d'un dispositif à semi-conducteur ou d'un écran à cristaux liquides ou similaire et, plus particulièrement, un procédé de fabrication d'une pellicule pour le rayonnement ultraviolet extrême. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une pellicule pour rayonnement ultraviolet extrême, comprenant les étapes consistant à : a) fabriquer un substrat organique ; b) former une couche de film mince inorganique sur le substrat organique ; c) fixer, à un cadre de pellicule, le substrat organique sur lequel la couche de film inorganique est formée ; et d) retirer au moins une partie du substrat organique par méthode par voie sèche.
(KO) 본 발명은 반도체 디바이스 또는 액정 디스플레이 등을 제조할 때 방진막으로 사용되는 리소그래피용 펠리클의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 초극자외선용 펠리클의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, a) 유기물 기판을 제조하는 단계와, b) 상기 유기물 기판 위에 무기 박막 층을 형성하는 단계와, c) 무기 박막 층이 형성된 유기물 기판을 펠리클 프레임에 부착하는 단계와, d) 건식 애싱(dry ashing) 공정을 통해서 상기 유기물 기판의 적어도 일부를 제거하는 단계를 포함하는 초극자외선용 펠리클의 제조방법이 제공된다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)