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1. (WO2017141545) DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES SURINTENSITÉS POUR ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2017/141545    International Application No.:    PCT/JP2016/088530
Publication Date: Fri Aug 25 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Dec 23 00:59:59 CET 2016
IPC: H03K 17/08
H02M 1/00
H03K 17/567
Applicants: FUJI ELECTRIC CO.,LTD.
富士電機株式会社
Inventors: MINAGAWA Kei
皆川 啓
Title: DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES SURINTENSITÉS POUR ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention porte sur un dispositif de protection contre les surintensités pour élément semi-conducteur, le dispositif de protection contre les surintensités répondant en peu de temps même pendant le temps de marche normal et empêchant la fausse détection dans une détection de surintensité pendant le temps de marche et d'arrêt. La présente invention porte sur un dispositif de protection contre les surintensités qui comporte : une unité de détection de courant (36) qui détecte, comme tension de détection, un courant de détection circulant par une borne de détection de courant d'un élément semi-conducteur commandé en tension (22b); une unité de détection de surintensité (37) qui compare la tension de détection détectée par l'unité de détection de courant et une valeur seuil de surtension et délivre en sortie un signal de détection de surintensité; une unité de distinction de mode (38) qui distingue un mode de superposition dans lequel une détection de tension transitoire est superposée sur la tension de détection et un mode normal dans lequel seule la tension de détection est présente; et une unité de réglage de synchronisation (39) qui règle la synchronisation de début de détection du signal de détection de surintensité en fonction d'un résultat de détermination par l'unité de distinction de mode.