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1. (WO2017139410) DISPOSITIF INTÉGRÉ COMPRENANT UN CONDENSATEUR COMPORTANT DE MULTIPLES BROCHES ET AU MOINS UNE BROCHE TRAVERSANT UNE PLAQUE DU CONDENSATEUR
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N° de publication : WO/2017/139410 N° de la demande internationale : PCT/US2017/017059
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 08.02.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 05.12.2017
CIB :
H01L 23/64 (2006.01) ,H01L 23/498 (2006.01) ,H01L 23/538 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 49/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
64
Dispositions relatives à l'impédance
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
498
Connexions électriques sur des substrats isolants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
538
la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Dispositifs à film mince ou à film épais
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
GU, Shiqun; US
PANDEY, Shree Krishna; US
RADOJCIC, Ratibor; US
Mandataire :
LOZA, Julio; US
Données relatives à la priorité :
15/041,85311.02.2016US
Titre (EN) INTEGRATED DEVICE COMPRISING A CAPACITOR THAT INCLUDES MULTIPLE PINS AND AT LEAST ONE PIN THAT TRAVERSES A PLATE OF THE CAPACITOR
(FR) DISPOSITIF INTÉGRÉ COMPRENANT UN CONDENSATEUR COMPORTANT DE MULTIPLES BROCHES ET AU MOINS UNE BROCHE TRAVERSANT UNE PLAQUE DU CONDENSATEUR
Abrégé :
(EN) Some features pertain to an integrated device that includes a die and a first redistribution portion coupled to the die. The first redistribution portion includes at least one dielectric layer and a capacitor. The capacitor includes a first plate, a second plate, and an insulation layer located between the first plate and the second plate. The first redistribution portion further includes several first pins coupled to the first plate of the capacitor. The first redistribution portion further includes several second pins coupled to the second plate of the capacitor. In some implementations, the capacitor includes the first pins and/or the second pins. In some implementations, at least one pin from the several first pins traverses through the second plate to couple to the first plate of the capacitor. In some implementations, the second plate comprises a fin design.
(FR) Certaines caractéristiques de l'invention se rapportent à un dispositif intégré qui comprend une puce et une première partie de redistribution couplée à la puce. La première partie de redistribution comprend au moins une couche diélectrique et un condensateur. Le condensateur comprend une première plaque, une seconde plaque, et une couche isolante située entre la première plaque et la seconde plaque. La première partie de redistribution comprend en outre plusieurs premières broches couplées à la première plaque du condensateur. La première partie de redistribution comprend en outre plusieurs secondes broches couplées à la seconde plaque du condensateur. Dans certains modes de réalisation, le condensateur comprend les premières broches et/ou les secondes broches. Dans certains modes de réalisation, au moins une broche parmi les multiples premières broches traverse la seconde plaque pour être couplée à la première plaque du condensateur. Dans certains modes de réalisation, la seconde plaque comprend une conception à ailettes.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)