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1. (WO2017138516) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SiC
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demande internationale considérée comme retirée 2017-11-17 00:00:00.0


N° de publication :    WO/2017/138516    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/004365
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 07.02.2017
CIB :
C30B 29/36 (2006.01), C30B 19/12 (2006.01)
Déposants : NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008071 (JP).
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP)
Inventeurs : SEKI, Kazuaki; (JP).
KUSUNOKI, Kazuhiko; (JP).
DAIKOKU, Hironori; (JP).
KADO, Motohisa; (JP).
DOI, Masayoshi; (JP)
Mandataire : UEBA, Hidetoshi; (JP).
SAKANE, Tsuyoshi; (JP).
KOMIYAMA, Satoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-023379 10.02.2016 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SiC
(JA) SiC単結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)To obtain an SiC single crystal in which admixture of heterogeneous polytypes is suppressed. This method for producing an SiC single crystal is provided with a step for preparing a seed crystal that has a growth surface in which one or more grooves have been formed (step S1), a solution generation step for heating and melting a raw material and generating an SiC solution (step S2), and a growth step for bringing the growth surface of the seed crystal into contact with the SiC solution and growing an SiC single crystal on the seed crystal (step S4). Each of the one or more grooves has a width of from 1 mm to less than 2 mm.
(FR)La présente invention concerne l'obtention d'un monocristal de SiC dans lequel un mélange de polytypes hétérogènes est supprimé. Ce procédé de production d'un monocristal de SiC comprend une étape de préparation d'un cristal de germe qui comporte une surface de croissance dans laquelle une ou plusieurs rainures ont été formées (étape S1), une étape de génération de solution pour chauffer et faire fondre une matière première et générer une solution de SiC (étape S2), et une étape de croissance pour mettre la surface de croissance du cristal de germe en contact avec la solution de SiC et faire croître un monocristal de SiC sur le cristal de germe (étape S4). Chacune des une ou plusieurs rainures a une largeur de 1 mm à moins de 2 mm.
(JA)異種ポリタイプの混入が抑制されたSiC単結晶を得る。SiC単結晶の製造方法は、1以上の溝が形成された成長面を有する種結晶を準備する工程(ステップS1)と、原料を加熱して溶融し、SiC溶液を生成する溶液生成工程(ステップS2)と、前記種結晶の前記成長面を前記SiC溶液に接触させて前記種結晶上にSiC単結晶を成長させる成長工程(ステップS4)とを備える。前記1以上の溝の各々は、1mm以上2mm未満の幅を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)