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1. (WO2017138267) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2017/138267 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/088303
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 22.12.2016
CIB :
G03F 7/038 (2006.01) ,C08F 212/12 (2006.01) ,C08F 220/16 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
212
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et l'un au moins étant terminé par un noyau carbocyclique aromatique
02
Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé
04
contenant un cycle
06
Hydrocarbures
12
possédant un radical aliphatique non saturé ramifié a radical alkyle lié à un cycle
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10
Esters
12
des alcools ou des phénols monohydriques
16
des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
30
Dépouillement selon l'image utilisant des moyens liquides
32
Compositions liquides à cet effet, p.ex. développateurs
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
土村 智孝 TSUCHIMURA Tomotaka; JP
金子 明弘 KANEKO Akihiro; JP
二橋 亘 NIHASHI Wataru; JP
Mandataire :
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Données relatives à la priorité :
2016-02535212.02.2016JP
Titre (EN) PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) To provide: a pattern forming method which enables the formation of a pattern having excellent resolution, excellent dry etching resistance and excellent outgas properties; and a method for manufacturing an electronic device, which includes this pattern forming method. This pattern forming method comprises (1) a step for forming a film with use of an active light sensitive or radiation sensitive resin composition, (2) a step for exposing the film to active light or radiation, and (3) a step for developing the light-exposed film with use of a developer liquid containing an organic solvent. The active light sensitive or radiation sensitive resin composition contains an acid-decomposable resin (1) that has (a) a repeating unit having an aromatic ring and (b) a repeating unit represented by a specific general formula, with the content of the repeating unit (a) being 55 mol% or more relative to all the repeating units of the acid-decomposable resin (1). A method for manufacturing an electronic device according to the present invention includes this pattern forming method.
(FR) L’invention concerne : un procédé de formation de motif qui permet la formation d’un motif dont la résolution est excellente, dont la résistance à la gravure sèche est excellente, et dont les propriétés de dégazage sont excellentes ; et un procédé de fabrication d’un dispositif électronique, qui met en œuvre ce procédé de formation de motif. Ce procédé de formation de motif consiste (1) en une étape de formation d’une pellicule au moyen d’une composition de résine photosensible ou sensible aux rayonnements actifs, (2) en une étape d’exposition de la pellicule à de la lumière active ou à des rayonnements actifs, et (3) en une étape de développement de la pellicule exposée à la lumière au moyen d’un liquide révélateur contenant un solvant organique. La composition de résine photosensible ou sensible aux rayonnements actifs contient une résine (1) pouvant se décomposer à l’acide qui comporte (a) une unité répétitive comportant un cycle aromatique et (b) une unité répétitive représentée par une formule générale spécifique, la teneur en unités répétitives (a) étant supérieure à 55 % mol par rapport à toutes les unités répétitives de la résine (1) pouvant se décomposer à l’acide. Un procédé de fabrication d’un dispositif électronique selon la présente invention met en œuvre ce procédé de formation de motif.
(JA) 解像性、ドライエッチング耐性、及びアウトガス性能の全てに優れたパターンを形成することが可能なパターン形成方法、及び上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法を提供すること。パターン形成方法は、(1)感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、(2)前記膜を活性光線又は放射線で露光する工程、及び、(3)有機溶剤を含有する現像液を用いて前記露光された膜を現像する工程、を含み、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、(a)芳香環を有する繰り返し単位と、(b)特定の一般式で表される繰り返し単位とを有する酸分解性樹脂(1)を含有し、前記繰り返し単位(a)の含有量が、前記酸分解性樹脂(1)の全繰り返し単位に対して、55mol%以上である。電子デバイスの製造方法は上記パターン形成方法を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)