Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017138056) DISPOSITIF DE NETTOYAGE DE TRANCHE INDIVIDUELLE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE TRANCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/138056 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/005255
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 28.12.2016
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs :
五十嵐 健作 IGARASHI, Kensaku; JP
阿部 達夫 ABE, Tatsuo; JP
Mandataire :
好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI, Toshihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-02287209.02.2016JP
Titre (EN) SINGLE WAFER CLEANING DEVICE AND WAFER CLEANING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE NETTOYAGE DE TRANCHE INDIVIDUELLE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE TRANCHE
(JA) 枚葉式ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄処理方法
Abrégé :
(EN) The present invention is a single wafer cleaning device equipped with: a cup part disposed inside a chamber; a table part disposed inside the cup part, and holding and rotating a wafer; and a nozzle part supplying a chemical solution to the wafer. This single wafer cleaning device comprises: an air supply unit provided on the chamber; a supply airflow changing mechanism for adjusting the airflow from the air supply unit; an air exhaust unit provided on the chamber; an exhaust airflow changing mechanism for adjusting the airflow from the air exhaust unit; and a wind gauge for measuring the air speed at the position of an edge portion of the wafer held by the table part. In this manner, the single wafer cleaning device is provided such that a wafer surface defect caused by misting, or the like, of a chemical solution, arising under the influence of a turbulent flow can be suppressed when washing a wafer using the individual wafer cleaning device.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de nettoyage de tranche individuelle qui est équipé : d'une partie cuvette disposée à l'intérieur d'une chambre ; d'une partie plateau disposée à l'intérieur de la partie cuvette, et maintenant et faisant tourner une tranche ; et d'une partie buse fournissant une solution chimique à la tranche. Ce dispositif de nettoyage de tranche individuelle comprend : une unité d'alimentation en air disposée sur la chambre ; un mécanisme de changement d'écoulement d'air d'alimentation pour régler l'écoulement d'air provenant de l'unité d'alimentation en air ; une unité d'évacuation d'air disposée sur la chambre ; un mécanisme de changement d'écoulement d'air d'évacuation pour régler l'écoulement d'air provenant de l'unité d'évacuation d'air ; et un anémomètre pour mesurer la vitesse de l'air au niveau de la position d'une partie marginale de la tranche maintenue par la partie plateau. De cette manière, le dispositif de nettoyage de tranche individuelle est de nature à pouvoir supprimer un défaut de surface de tranche provoqué par une transformation en brouillard, ou analogue, d'une solution chimique, se produisant sous l'influence d'un écoulement turbulent lors du lavage d'une tranche à l'aide du dispositif de nettoyage de tranche individuelle.
(JA) 本発明はチャンバー内に配置されたカップ部と、該カップ部内に配置され、ウェーハを保持し回転するテーブル部と、ウェーハに薬液を供給するノズル部とを具備する枚葉式のウェーハ洗浄処理装置であって、チャンバーに設けられた給気部と、給気部の風量を調整する給気風量可変機構と、チャンバーに設けられた排気部と、排気部の風量を調整する排気風量可変機構と、テーブル部に保持されるウェーハの端部の位置の風速を測定する風速計とを備える枚葉式ウェーハ洗浄処理装置である。これにより、枚葉式のウェーハ洗浄処理装置を用いてウェーハの洗浄を行う場合に、乱流の影響により発生する、薬液のミスト等によるウェーハ表面の欠陥を抑制することができる枚葉式ウェーハ洗浄処理装置が提供される。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)