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1. (WO2017137438) MONOCRISTAL DE SILICIUM DOPÉ AU PHOSPHORE
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N° de publication : WO/2017/137438 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/052754
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 08.02.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 12.10.2017
CIB :
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 31/08 (2006.01) ,C30B 31/20 (2006.01) ,H01L 21/261 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02
Eléments
06
Silicium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
31
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet
06
par contact avec la substance de diffusion à l'état gazeux
08
la substance de diffusion étant un composé des éléments à diffuser
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
31
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet
20
Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
261
pour produire une réaction nucléaire donnant des éléments chimiques par transmutation
Déposants :
TOPSIL GLOBALWAFERS A/S [DK/DK]; Siliciumvej 1 3600 Frederikssund, DK
Inventeurs :
SVEIGAARD, Theis Leth; DK
GRÆSVÆNGE, Martin; DK
HINDRICHSEN, Christian Gammeltoft; DK
DUUN, Sune Bo; DK
LEI, Anders; DK
Mandataire :
AWA DENMARK A/S; Strandgade 56 1401 Copenhagen K, DK
Données relatives à la priorité :
16154695.708.02.2016EP
Titre (EN) A PHOSPHORUS DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) MONOCRISTAL DE SILICIUM DOPÉ AU PHOSPHORE
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a phosphorus doped silicon single crystal having a diameter of at least 175 mm and an axial length in the range of 50 mm to 1000 mm, the phosphorus doped silicon single crystal in a transverse plane having a density of dopant atoms providing a target resistivity (ρNTD) in the range of 5 Ωcm to 2000 Ωcm for a wafer cut from the phosphorus doped silicon ingot, wherein a RRV value of 3% or less as determined according to the SEMI standard SEMI MF81 is obtained for at least 75% of wafers cut from the phosphorus doped silicon single crystal when the resistivity is measured after annealing the silicon at a temperature in the range of 800°C to 1300°C, to a wafer and to a plurality of wafers cut from the phosphorus doped silicon single crystal and to a method of producing a phosphorus doped silicon single crystal. The products of the invention are particularly suited for use in high power electronics.
(FR) La présente invention concerne un monocristal de silicium dopé au phosphore ayant un diamètre d'au moins 175 mm et une longueur axiale dans la plage de 50 mm à 1 000 mm, le monocristal de silicium dopé au phosphore dans un plan transversal ayant une densité d'atomes dopants assurant une résistivité cible (ρNTD) dans la plage de 5 Ωcm à 2 000 Ωcm pour une tranche découpée dans le lingot de silicium dopé au phosphore, une valeur de la VRR de 3 % ou moins d'après la norme SEMI MF81 étant obtenue pour au moins 75 % des tranches découpées dans le monocristal de silicium dopé au phosphore lorsque la résistivité est mesurée après recuit du silicium à une température dans la gamme de 800 °C à 1 300 °C; l'invention concerne également une tranche et une pluralité de tranches découpées dans le monocristal de silicium dopé au phosphore, et un procédé permettant de produire un monocristal de silicium dopé au phosphore. Les produits selon l'invention sont particulièrement appropriés pour être utilisés dans des circuits électroniques de grande puissance.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)