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1. WO2017084858 - MICROBOLOMÈTRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN MOCROBOLOMÈTRE ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION D’UN RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE

Numéro de publication WO/2017/084858
Date de publication 26.05.2017
N° de la demande internationale PCT/EP2016/076009
Date du dépôt international 28.10.2016
CIB
G01J 5/20 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
JMESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
5Pyrométrie des radiations
10en utilisant des détecteurs électriques de radiations
20en utilisant des éléments résistants, thermorésistants ou semi-conducteurs sensibles aux radiations
G01J 5/22 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
JMESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
5Pyrométrie des radiations
10en utilisant des détecteurs électriques de radiations
20en utilisant des éléments résistants, thermorésistants ou semi-conducteurs sensibles aux radiations
22Particularités électriques
H01L 29/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
CPC
G01J 5/20
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
10using electric radiation detectors
20using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation
G01J 5/22
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
10using electric radiation detectors
20using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation
22Electrical features
H01L 29/66439
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66439with a one- or zero-dimensional channel, e.g. quantum wire FET, in-plane gate transistor [IPG], single electron transistor [SET], striped channel transistor, Coulomb blockade transistor
H01L 29/7613
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
7613Single electron transistors; Coulomb blockade devices
Déposants
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • UTERMOEHLEN, Fabian
Données relatives à la priorité
10 2015 222 945.920.11.2015DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) MIKROBOLOMETER, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROBOLOMETERS UND VERFAHREN ZUM DETEKTIEREN EINER ELEKTROMAGNETISCHEN STRAHLUNG
(EN) MICROBOLOMETER, METHOD FOR PRODUCING A MICROBOLOMETER, AND METHOD FOR DETECTING AN ELECTROMAGNETIC EMISSION
(FR) MICROBOLOMÈTRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN MOCROBOLOMÈTRE ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION D’UN RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Mikrobolometer (100) mit einer Absorptionsschicht (104) zum Absorbieren einer elektromagnetischen Strahlung (106) und zumindest einem mit der Absorptionsschicht (104) thermisch gekoppelten oder koppelbaren Einzelelektronentransistor (102) mit einem Drainanschluss (D) und einem Sourceanschluss (S), wobei der Einzelelektronentransistor (102) ausgebildet ist, um einen Stromfluss zwischen dem Drainanschluss (D) und dem Sourceanschluss (S) in Abhängigkeit von einer Temperatur der Absorptionsschicht (104) zu ändern.
(EN)
The invention relates to a microbolometer (100) having an absorption layer (104) for absorbing an electromagnetic emission (106), and at least one single electron transistor (102) that is or can be thermally coupled to said absorption layer (104) and comprises a drain connection (D) and a source connection (S), the single electron transistor (102) being designed to alter a current flow between the drain connection (D) and the source connection (S) depending on a temperature of the absorption layer (104).
(FR)
L’invention concerne un microbolomètre (100) qui comporte une couche d’absorption (104) pour l’absorption d’un rayonnement électromagnétique (106) et au moins un transistor à un électron (102) doté d’une connexion de drain (D) et d’une connexion de source (S), couplé ou pouvant être couplé thermiquement à la couche d’absorption (104), le transistor à un électron (102) étant conçu pour varier le courant circulant entre la connexion de drain (D) et la connexion de (S) en fonction de la température de la couche d’absorption (104).
Également publié en tant que
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