(DE) Die Erfindung betrifft ein Mikrobolometer (100) mit einer Absorptionsschicht (104) zum Absorbieren einer elektromagnetischen Strahlung (106) und zumindest einem mit der Absorptionsschicht (104) thermisch gekoppelten oder koppelbaren Einzelelektronentransistor (102) mit einem Drainanschluss (D) und einem Sourceanschluss (S), wobei der Einzelelektronentransistor (102) ausgebildet ist, um einen Stromfluss zwischen dem Drainanschluss (D) und dem Sourceanschluss (S) in Abhängigkeit von einer Temperatur der Absorptionsschicht (104) zu ändern.
(EN) The invention relates to a microbolometer (100) having an absorption layer (104) for absorbing an electromagnetic emission (106), and at least one single electron transistor (102) that is or can be thermally coupled to said absorption layer (104) and comprises a drain connection (D) and a source connection (S), the single electron transistor (102) being designed to alter a current flow between the drain connection (D) and the source connection (S) depending on a temperature of the absorption layer (104).
(FR) L’invention concerne un microbolomètre (100) qui comporte une couche d’absorption (104) pour l’absorption d’un rayonnement électromagnétique (106) et au moins un transistor à un électron (102) doté d’une connexion de drain (D) et d’une connexion de source (S), couplé ou pouvant être couplé thermiquement à la couche d’absorption (104), le transistor à un électron (102) étant conçu pour varier le courant circulant entre la connexion de drain (D) et la connexion de (S) en fonction de la température de la couche d’absorption (104).