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1. (WO2017049801) PROCÉDÉ DE PASSIVATION DE SURFACE DE TRANCHE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CELLULE BIFACIALE DE TYPE N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/049801    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/100165
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 31.12.2015
CIB :
H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : SUZHOU TALESUN SOLAR TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; No.1 Talesun Road Shajiabang, Changshu Suzhou, Jiangsu 215542 (CN)
Inventeurs : NI, Zhichun; (CN).
WEI, Qingzhu; (CN).
WU, Chenyang; (CN).
LU, Junyu; (CN).
LIAN, Weifei; (CN)
Mandataire : UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave. Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510610013.5 23.09.2015 CN
Titre (EN) SILICON WAFER SURFACE PASSIVATION METHOD AND N-TYPE BIFACIAL CELL PREPARATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PASSIVATION DE SURFACE DE TRANCHE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CELLULE BIFACIALE DE TYPE N
(ZH) 硅片表面钝化方法及N型双面电池的制作方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a silicon wafer surface passivation method and an N-type bifacial cell preparation method based on the silicon wafer surface passivation method. The silicon wafer surface passivation method comprises: processing a silicon wafer surface, so as to remove an oxide layer, borosilicate glass and/or phosphorosilicate glass on the silicon wafer surface; in the irradiation of ultraviolet, blowing the processed silicon wafer surface by using ozone gas, so as to form silicon oxide of a first preset thickness on the processed silicon wafer surface, or soaking the silicon wafer in water containing ozone so as to form silicon oxide of a first preset thickness on the processed silicon wafer surface. In the irradiation of ultraviolet, silicon oxide can be formed on the silicon wafer surface by blowing the silicon wafer surface by using ozone gas or soaking the silicon wafer in water containing ozone, which can be complemented in a normal temperature, thereby greatly reducing costs; and the method is particularly suitable for large-scale industrialized production.
(FR)L'invention concerne un procédé de passivation de surface de tranche de silicium et un procédé de préparation de cellule bifaciale de type N basé sur le procédé de passivation de surface de tranche de silicium. Le procédé de passivation de surface de tranche de silicium consiste à : traiter une surface de tranche de silicium, de manière à éliminer une couche d'oxyde, du verre borosilicate et/ou du verre phosphorosilicate sur la surface de tranche de silicium; lors de l'exposition à un rayonnement ultraviolet, souffler la surface de tranche de silicium traitée à l'aide d'un gaz d'ozone, de manière à former de l'oxyde de silicium d'une première épaisseur prédéfinie sur la surface de tranche de silicium traitée, ou tremper la tranche de silicium dans de l'eau contenant de l'ozone de façon à former de l'oxyde de silicium d'une première épaisseur prédéfinie sur la surface de tranche de silicium traitée. Lors de l'exposition à un rayonnement ultraviolet, de l'oxyde de silicium peut être formé sur la surface de tranche de silicium par soufflage de la surface de tranche de silicium à l'aide d'un gaz d'ozone ou par trempage de la tranche de silicium dans de l'eau contenant de l'ozone, ce qui peut être réalisé à température normale, ce qui permet de réduire fortement les coûts; et le procédé est particulièrement approprié pour une production industrialisée à grande échelle.
(ZH)提供了一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法。硅片表面钝化方法包括:对硅片表面进行处理,以除去硅片表面上的氧化层、硼硅玻璃和/或磷硅玻璃;在紫外线照射下,用臭氧气体吹扫处理后的硅片表面,在处理后的硅片表面上形成第一预设厚度的氧化硅,或者将硅片浸在含臭氧的水中,在处理后的硅片表面形成第一预设厚度的氧化硅。只需要在在紫外线照射下,用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中,即可在硅片表面形成氧化硅,可以在常温下完成,大大降低了成本,尤其适用于大规模工业化生产。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)