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1. (WO2017047375) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, MODULE DE CELLULE SOLAIRE LE COMPRENANT ET SYSTÈME DE PRODUCTION D'ÉNERGIE PHOTOVOLTAÏQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/047375    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/075310
Date de publication : 23.03.2017 Date de dépôt international : 30.08.2016
CIB :
H01L 31/0747 (2012.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : KUNIYOSHI Tokuaki; (--).
HIGASHI Kenichi; (--).
KAMIKAWA Takeshi; (--).
HARADA Masatomi; (--).
SAKAI Toshihiko; (--).
TSUJINO Kazuya; (--).
ZOU Liumin; (--)
Mandataire : KAWAKAMI Keiko; (JP).
MATSUYAMA Takao; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-180410 14.09.2015 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, SOLAR CELL MODULE PROVIDED WITH SAME, AND PHOTOVOLTAIC POWER GENERATION SYSTEM
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, MODULE DE CELLULE SOLAIRE LE COMPRENANT ET SYSTÈME DE PRODUCTION D'ÉNERGIE PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 光電変換素子、それを備えた太陽電池モジュールおよび太陽光発電システム
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: a photoelectric conversion element which is capable of suppressing diffusion of boron and having improved conversion efficiency; and a photoelectric conversion module. This photoelectric conversion element 10 is provided with: a semiconductor substrate 1; an intrinsic amorphous semiconductor layer 3 that is formed on the semiconductor substrate 1; an n-type amorphous semiconductor layer 4 that is formed on the intrinsic amorphous semiconductor layer 3 and contains phosphorus as a dopant; and a p-type amorphous semiconductor layer 5 that is formed adjacent to the n-type amorphous semiconductor layer 4 in the in-plane direction and contains boron as a dopant. The n-type amorphous semiconductor layer 4 has a film thickness decrease region TD(n) in a surface adjacent to the p-type amorphous semiconductor layer 5, while the p-type amorphous semiconductor layer 5 has a film thickness decrease region TD(p) in a surface adjacent to the n-type amorphous semiconductor layer 4. The inclination angle of the film thickness decrease region TD(p) of the p-type amorphous semiconductor layer 5 is steeper than the inclination angle of the film thickness decrease region TD(n) of the n-type amorphous semiconductor layer 4.
(FR)L'invention concerne : un élément de conversion photoélectrique qui est capable de supprimer la diffusion de bore et ayant un meilleur rendement de conversion ; et un module de conversion photoélectrique. Cet élément de conversion photoélectrique 10 est pourvu : d'un substrat semi-conducteur 1 ; d'une couche semi-conductrice amorphe intrinsèque 3 qui est formée sur le substrat semi-conducteur 1 ; d'une couche semi-conductrice amorphe de type n 4 qui est formée sur la couche semi-conductrice amorphe intrinsèque 3 et contient du phosphore en tant que dopant ; et d'une couche semi-conductrice amorphe de type p 5 qui est formée adjacente à la couche semi-conductrice amorphe de type n 4 dans la direction dans le plan et contient du bore en tant que dopant. La couche semi-conductrice amorphe de type n 4 a une zone de diminution d'épaisseur de film TD(n) dans une surface adjacente à la couche semi-conductrice amorphe de type p 5, tandis que la couche semi-conductrice amorphe de type p 5 a une zone de diminution d'épaisseur de film TD(p) dans une surface adjacente à la couche semi-conductrice amorphe de type n 4. L'angle d'inclinaison de la zone de diminution d'épaisseur de film TD(p) de la couche semi-conductrice amorphe de type p 5 est plus raide que l'angle d'inclinaison de la zone de diminution d'épaisseur de film TD(n) de la couche semi-conductrice amorphe de type n 4.
(JA)ボロンの拡散を抑制し、変換効率を向上させうる光電変換素子及び光電変換モジュールを提供する。光電変換素子10は、半導体基板1と、半導体基板1上に形成された真性非晶質半導体層3と、真性非晶質半導体層3の上に形成されたリンをドーパントとして含むn型非晶質半導体層4と、n型非晶質半導体層4に面内方向において隣接して形成されたボロンをドーパントとして含むp型非晶質半導体層5と、を備える。n型非晶質半導体層4は、p型非晶質半導体層5と隣り合う面に、膜厚減少領域TD(n)を有し、p型非晶質半導体層5は、n型非晶質半導体層4と隣り合う面に膜厚減少領域TD(p)を有する。p型非晶質半導体層5の膜厚減少領域TD(p)の傾斜角度は、n型非晶質半導体層4の膜厚減少領域TD(n)の傾斜角度よりも急峻である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)