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1. (WO2017045137) TRANSISTOR À COUCHE MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/045137    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/089660
Date de publication : 23.03.2017 Date de dépôt international : 15.09.2015
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Shuai; (CN).
CHAN, Yu Cheng; (CN)
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District, Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, FABRICATION METHOD THEREOF, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Abrégé : front page image
(EN)Various embodiments provide a thin film transistor (TFT), a fabrication method thereof, and a display apparatus including the TFT. A carbon nanotube layer (102) is formed over a substrate (100). The carbon nanotube layer (102) includes a first plurality of carbon nanotubes. A plurality of gaps (12) are formed through the carbon nanotube layer (102) to provide a first patterned carbon nanotube layer (102A). Carbon nanotube structures (112) each including a second plurality of carbon nanotubes are formed in the plurality of gaps (12). The carbon nanotube structures (112) have a carrier mobility different from the first patterned carbon nanotube layer (102A), thereby forming an active layer for forming active structures of the thin-film transistor.
(FR)La présente invention concerne, dans divers modes de réalisation, un transistor à couche mince (TFT), un procédé de fabrication de celui-ci, et un appareil d'affichage comprenant le TFT. Une couche de nanotubes de carbone (102) est formée sur un substrat (100). La couche de nanotubes de carbone (102) comprend une première pluralité de nanotubes de carbone. Une pluralité d'espaces (12) sont formés dans l'ensemble de la couche de nanotubes de carbone (102) pour fournir une première couche de nanotubes de carbone structurée (102A). Des structures de nanotubes de carbone (112) comprenant chacune une seconde pluralité de nanotubes de carbone sont formées dans la pluralité d'espaces (12). Les structures de nanotubes de carbone (112) ont une mobilité des porteurs de charge différente de celle de la première couche de nanotubes de carbone structurée (102A), formant ainsi une couche active pour former des structures actives du transistor à couche mince.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)