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1. (WO2017043635) COMPOSITION DE REVÊTEMENT DE MOTIF DE RÉSERVE COMPRENANT DU POLYSILOXANE CONTENANT UN GROUPE VINYLE OU UN GROUPE (MÉTH)ACRYLOXY
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/043635    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/076644
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 09.09.2016
CIB :
G03F 7/40 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), C08G 77/20 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventeurs : SHIGAKI, Shuhei; (JP).
SAKAMOTO, Rikimaru; (JP).
NAKAJIMA, Makoto; (JP).
SHIBAYAMA, Wataru; (JP)
Mandataire : HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-180166 11.09.2015 JP
Titre (EN) RESIST PATTERN COATING COMPOSITION INCLUDING VINYL GROUP- OR (METH) ACRYLOXY GROUP-CONTAINING POLYSILOXANE
(FR) COMPOSITION DE REVÊTEMENT DE MOTIF DE RÉSERVE COMPRENANT DU POLYSILOXANE CONTENANT UN GROUPE VINYLE OU UN GROUPE (MÉTH)ACRYLOXY
(JA) ビニル基又は(メタ)アクリロキシ基含有ポリシロキサンを含むレジストパターン塗布用組成物
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a coating composition for coating upon a resist pattern and reversing a pattern, in a solvent development lithography process. [Solution] A composition coated on a resist pattern and including: a polysiloxane being a hydrolysis condensate of a hydrolyzable silane; and a carboxylic acid ester solvent or an ester solvent. The hydrolyzable silane includes a vinyl group or a (meth) acryloxy group. The hydrolyzable silane contains 20-100 mol% of hydrolyzable silane including a vinyl group or a (meth) acryloxy group, relative to the total hydrolyzable silane. A production method for a semiconductor device, including: a step (1) in which a resist is coated upon a substrate; a step (2) in which the resist film is exposed then developed and a resist pattern is formed; a step (3) in which the composition is coated upon the resist pattern during or after developing; and a step (4) in which the resist pattern is removed by etching and the pattern is reversed.
(FR)Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de revêtement pour un revêtement sur un motif de réserve et inverser un motif, dans un procédé de lithographie de développement de solvant. La solution selon l'invention concerne une composition déposée en guise de revêtement sur un motif de réserve et comprenant : un polysiloxane qui est un condensat d'hydrolyse d'un silane hydrolysable ; et un solvant d'ester d'acide carboxylique ou un solvant d'ester. Le silane hydrolysable comprend un groupe vinyle ou un groupe (méth)acryloxy. Le silane hydrolysable contient 20 à 100 % en moles de silane hydrolysable comprenant un groupe vinyle ou un groupe (méth)acryloxy, par rapport à la quantité totale de silane hydrolysable. Un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur comprend : une étape (1) dans laquelle une réserve est déposée en guise de revêtement sur un substrat ; une étape (2) dans laquelle le film de réserve est exposé puis développé, et un motif de réserve est formé ; une étape (3) dans laquelle la composition est déposée en guise de revêtement sur le motif de réserve pendant ou après le développement ; et une étape (4) dans laquelle le motif de réserve est retiré par gravure et le motif est inversé.
(JA)【課題】 溶剤現像リソグラフィープロセスでレジストパターン上に塗布してパターンを反転させるための塗布組成物を提供する。 【解決手段】 加水分解性シランを加水分解縮合したポリシロキサンと、カルボン酸エステル溶剤又はエーテル溶剤とを含むレジストパターンに塗布される組成物であり、該加水分解性シランはビニル基又は(メタ)アクリロキシ基を含む加水分解性シランを含むものである該組成物。加水分解性シランが、全加水分解性シラン中にビニル基又は(メタ)アクリロキシ基を含む加水分解性シランが20乃至100モル%の割合で含有している。基板上にレジストを塗布する工程(1)、レジスト膜を露光し続いて現像し、レジストパターンを形成する工程(2)、現像中又は現像後のレジストパターンに上記組成物を塗布する工程(3)、レジストパターンをエッチングにより除去してパターンを反転させる工程(4)を含む半導体装置の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)