WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017034555) STRUCTURES DE RÉSISTANCE LATÉRALE AGGLOMÉRÉE POUR UN ENSEMBLE DE CIRCUITS INTÉGRÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/034555    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/046858
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 26.08.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : LEE, Chen-Guan; (US).
KAPINUS, Vadym; (US).
LIU, Pei-Chi; (US).
PARK, Joodong; (US).
HAFEZ, Walid M.; (US).
JAN, Chia-Hong; (US)
Mandataire : HOWARD, James M.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) COMPOUND LATERAL RESISTOR STRUCTURES FOR INTEGRATED CIRCUITRY
(FR) STRUCTURES DE RÉSISTANCE LATÉRALE AGGLOMÉRÉE POUR UN ENSEMBLE DE CIRCUITS INTÉGRÉS
Abrégé : front page image
(EN)IC device structures including a lateral compound resistor disposed over a surface of a substrate, and fabrication techniques to form such a resistor in conjunction with fabrication of a transistor. Rather than being stacked vertically, a compound resistive trace may include a plurality of resistive materials arranged laterally over a substrate. Along a resistive trace length, a first resistive material is in contact a sidewall of a second resistive material. A portion of a first resistive material along a centerline of the resistive trace may be replaced with a second resistive material so that the second resistive material is embedded within the first resistive material.
(FR)La présente invention porte sur des structures de dispositif de circuit intégré (IC pour Integrated Circuit) comprenant une résistance latérale agglomérée disposée sur une surface d'un substrat et sur des techniques de fabrication permettant de former une telle résistance conjointement avec la fabrication d'un transistor. Plutôt que d'être empilée verticalement, une trace résistive de composé peut comprendre une pluralité de matériaux résistifs disposés latéralement sur un substrat. Sur toute la longueur d'une trace résistive, un premier matériau résistif est en contact avec une paroi latérale d'un second matériau résistif. Une partie d'un premier matériau résistif le long d'une ligne centrale de la trace résistive peut être remplacée par un second matériau résistif de telle sorte que le second matériau résistif soit incorporé dans le premier matériau résistif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)