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1. (WO2017034078) ÉLECTRODE TRANSPARENTE SOUPLE À STRUCTURE DE FILM MINCE MULTICOUCHE EN TIO2/AG/TIO2 ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/034078    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/011744
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 04.11.2015
CIB :
H01B 5/00 (2006.01), B32B 15/04 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/18 (2006.01), H01L 33/40 (2010.01)
Déposants : KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION [KR/KR]; 145, Anam-ro Seongbuk-gu Seoul 136-701 (KR)
Inventeurs : KIM, Jun Ho; (KR).
SEONG, Tae Yeon; (KR)
Mandataire : JUNG, Eun Youl; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0120150 26.08.2015 KR
Titre (EN) FLEXIBLE TRANSPARENT ELECTRODE HAVING TIO2/AG/TIO2 MULTI-LAYERED THIN FILM STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLECTRODE TRANSPARENTE SOUPLE À STRUCTURE DE FILM MINCE MULTICOUCHE EN TIO2/AG/TIO2 ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) TIO2/AG/TIO2 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명전극 및 그 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a flexible transparent electrode having a TiO2/Ag/TiO2 multi-layered thin film structure and, more particularly, to a flexible transparent electrode comprising: an Ag metal layer; and a TiO2 layer laminated on each of the upper side and the lower side of the Ag metal layer, wherein the thickness of the Ag metal layer ranges between 11 nm and 25 nm, and the thickness of the TiO2 layer ranges between 20 nm and 80 nm. The present invention may provide a flexible transparent electrode which has a lower sheet resistance value while having high transmittance compared to a conventional ITO electrode and which can be manufactured directly on a polymeric substrate without the need of a high temperature heat-treatment because the same is manufactured by a room temperature deposition process.
(FR)La présente invention concerne une électrode transparente souple comprenant une structure de film mince multicouche en TiO2/Ag/TiO2, et concerne plus particulièrement une électrode transparente souple comprenant : une couche métallique en Ag ; et une couche de TiO2 stratifiée sur chacun des côtés supérieur et inférieur de la couche métallique en Ag, l'épaisseur de la couche métallique en Ag étant située dans la plage allant de 11 nm à 25 nm, et l'épaisseur de la couche de TiO2 étant située dans la plage allant de 20 nm à 80 nm. La présente invention permet d'obtenir une électrode transparente souple qui présente une valeur de résistance de couche inférieure tout en ayant une transmittance élevée par rapport à une électrode ITO classique et qui peut être fabriquée directement sur un substrat polymère sans requérir de traitement thermique à haute température, étant donné que celle-ci est fabriqué par un processus de dépôt à température ambiante.
(KO)본 발명은 TiO2/Ag/TiO2 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명전극에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, Ag 금속층; 및 상기 Ag 금속층의 상면 및 하면에 각각 적층된 TiO2층을 포함하는 플렉시블 투명전극으로서, 상기 Ag 금속층의 두께는 11 nm 내지 25 nm이며, 상기 TiO2층의 두께는 20 nm 내지 80 nm인 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 종래 ITO 전극에 비견할 만한 높은 투과도를 지니면서도, 낮은 면저항값을 갖고, 상온 증착 공정에 의해서 제조되어 고온 열처리가 필요 없이 폴리머 기판에 그대로 제조가 가능한 플렉시블 투명전극을 제공할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)