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1. WO2017008740 - APPAREIL ET PROCÉDÉ D'EXPOSITION

Numéro de publication WO/2017/008740
Date de publication 19.01.2017
N° de la demande internationale PCT/CN2016/089881
Date du dépôt international 13.07.2016
CIB
G03F 7/20 2006.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
G02B 27/09 2006.1
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
27Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes G02B1/-G02B26/117
09Mise en forme du faisceau, p.ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
H01L 33/00 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
G02B 27/09
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
27Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
G03F 7/2008
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
2002with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
2008characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
G03F 7/2022
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
G03F 7/70075
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane, by using an integrator, e.g. fly's eye lenses, facet mirrors, glass rods, by using a diffusive optical element or by beam deflection
G03F 7/70641
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70641Focus
Déposants
  • 上海微电子装备(集团)股份有限公司 SHANGHAI MICRO ELECTRONICS EQUIPMENT (GROUP) CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 谢仁飚 XIE, Renbiao
  • 杨志勇 YANG, Zhiyong
  • 白昂力 BAI, Angli
  • 王健 WANG, Jian
Mandataires
  • 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) SHANGHAI SAVVY INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Données relatives à la priorité
201510416093.015.07.2015CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) EXPOSURE APPARATUS AND METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ D'EXPOSITION
(ZH) 曝光装置及方法
Abrégé
(EN) Provided is an exposure apparatus, comprising an exposure unit (100) for exposing a wafer (200). The exposure unit (100) comprises an illumination system (110) and a mask (120). The illumination system (110) comprises a light-homogenizing unit (113), comprising a light-homogenizing quartz rod (1131) having a cross section in the form of a regular hexagon. The shape of the mask (120) is a regular hexagon matched with the cross section of the light-homogenizing quartz rod (1131). The present invention can effectively reduce an influence of field curvature of an objective on depth of focus (DOF) in the same exposure field, thereby enhancing useful DOF (UDOF). In addition, an exposure area of the exposure field is enlarged when a projection objective remains the same DOF.
(FR) L'invention concerne un appareil d'exposition, comprenant une unité d'exposition (100) permettant d'exposer une tranche (200). L'unité d'exposition (100) comprend un système d'éclairage (110) et un masque (120). Le système d'éclairage (110) comprend une unité d'homogénéisation de lumière (113), comprenant une tige à quartz (1131) d'homogénéisation de lumière présentant une section transversale adoptant la forme d'un hexagone régulier. La forme du masque (120) consiste en un hexagone régulier mis en correspondance avec la section transversale de la tige à quartz (1131) d'homogénéisation de lumière. La présente invention permet de réduire efficacement une influence de courbure de champ d'un objet sur une profondeur de champ (DOF) dans le même champ d'exposition, ce qui permet d'améliorer la profondeur de champ utile (UDOF). En outre, une zone d'exposition du champ d'exposition est agrandie lorsqu'un objectif de projection demeure dans la même DOF.
(ZH) 一种曝光装置,包括曝光单元(100),用于对晶圆(200)进行曝光;所述曝光单元(100)包括照明系统(110)和掩模(120),所述照明系统(110)包括匀光单元(113),所述匀光单元(113)包括横截面为正六边形的匀光石英棒(1131),所述掩模(120)的形状为与所述匀光石英棒(1131)的横截面相匹配的正六边形。在相同曝光视场的情况下能够有效降低物镜场曲对焦深的影响,提高实际可使用的焦深;在投影物镜相同的焦深得情况下,扩大了曝光视场的曝光面积。
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