(EN) The present invention provides a manufacturing method of an LED epitaxial structure. The method comprises: in-situ forming, via an epitaxy process, a recess, and then filling the recess with a current barrier dielectric layer, thus forming a current-spreading layer. The present invention has a current-spreading effect, thus improving the uniformity of an electron or hole current, increasing the illuminance of emitted light, and lowering the working voltage.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure épitaxiale de LED. Le procédé comprend les étapes suivantes : formation in-situ, par le biais d'un processus d'épitaxie, d'une cavité, puis remplissage de la cavité avec une couche diélectrique barrière de courant, formant ainsi une couche d'étalement du courant. La présente invention a un effet d'étalement du courant, ce qui permet d'améliorer l'uniformité d'un courant d'électrons ou de trous, d'accroître l'intensité lumineuse de la lumière émise, et d'abaisser la tension de fonctionnement.
(ZH) 本发明提供一种LED外延结构的制作方法,通过外延制程原位形成凹洞,再在凹洞中填满电流阻挡介质层,从而构成电流扩展层,具有电流扩展效果,可以有效提高电子或空穴电流均匀性,提高发光亮度及降低工作电压。