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1. WO2017008539 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE ÉPITAXIALE DE LED

Numéro de publication WO/2017/008539
Date de publication 19.01.2017
N° de la demande internationale PCT/CN2016/077840
Date du dépôt international 30.03.2016
CIB
H01L 33/00 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 33/14 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
14ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
CPC
H01L 33/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 33/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
14with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
Déposants
  • 厦门市三安光电科技有限公司 XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 张洁 ZHANG, Jie
  • 朱学亮 ZHU, Xueliang
  • 刘建明 LIU, Jianming
  • 杜彦浩 DU, Yanhao
  • 杜成孝 DU, Chengxiao
  • 徐宸科 HSU, Chen-ke
Données relatives à la priorité
201510407288.913.07.2015CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) MANUFACTURING METHOD OF LED EPITAXIAL STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE ÉPITAXIALE DE LED
(ZH) 一种LED外延结构的制作方法
Abrégé
(EN) The present invention provides a manufacturing method of an LED epitaxial structure. The method comprises: in-situ forming, via an epitaxy process, a recess, and then filling the recess with a current barrier dielectric layer, thus forming a current-spreading layer. The present invention has a current-spreading effect, thus improving the uniformity of an electron or hole current, increasing the illuminance of emitted light, and lowering the working voltage.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure épitaxiale de LED. Le procédé comprend les étapes suivantes : formation in-situ, par le biais d'un processus d'épitaxie, d'une cavité, puis remplissage de la cavité avec une couche diélectrique barrière de courant, formant ainsi une couche d'étalement du courant. La présente invention a un effet d'étalement du courant, ce qui permet d'améliorer l'uniformité d'un courant d'électrons ou de trous, d'accroître l'intensité lumineuse de la lumière émise, et d'abaisser la tension de fonctionnement.
(ZH) 本发明提供一种LED外延结构的制作方法,通过外延制程原位形成凹洞,再在凹洞中填满电流阻挡介质层,从而构成电流扩展层,具有电流扩展效果,可以有效提高电子或空穴电流均匀性,提高发光亮度及降低工作电压。
Documents de brevet associés
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