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1. (WO2017002528) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/002528 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/066528
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 03.06.2016
CIB :
G01P 15/08 (2006.01) ,B81B 7/02 (2006.01) ,G01C 19/5769 (2012.01) ,G01P 15/125 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 29/84 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
P
MESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
15
Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération
02
en ayant recours aux forces d'inertie
08
avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
B
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
7
Systèmes à microstructure
02
comportant des dispositifs électriques ou optiques distincts dont la fonction a une importance particulière, p.ex. systèmes micro-électromécaniques (SMEM, MEMS)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
C
MESURE DES DISTANCES, DES NIVEAUX OU DES RELÈVEMENTS; GÉODÉSIE; NAVIGATION; INSTRUMENTS GYROSCOPIQUES; PHOTOGRAMMÉTRIE OU VIDÉOGRAMMÉTRIE
19
Gyroscopes; Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes; Dispositifs sensibles à la rotation sans masse en mouvement; Mesure de la vitesse angulaire en utilisant les effets gyroscopiques
56
Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes, p.ex. capteurs vibratoires de vitesse angulaire basés sur les forces de Coriolis
5719
utilisant des masses planaires vibrantes entraînées dans une vibration de translation le long d’un axe
5769
Fabrication; Montage; Boîtiers
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
P
MESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
15
Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération
02
en ayant recours aux forces d'inertie
08
avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
125
au moyen de capteurs à capacité
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
84
commandés par la variation d'une force mécanique appliquée, p.ex. d'une pression
Déposants :
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
Inventeurs :
出川 宗里 DEGAWA Munenori; JP
菊地 広 KIKUCHI Hiroshi; JP
林 雅秀 HAYASHI Masahide; JP
Mandataire :
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
Données relatives à la priorité :
2015-13231301.07.2015JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to secure a sensor chip while preventing breakage of the sensor chip. As a result, for the purpose of providing a semiconductor device with improved yield, the present invention is a semiconductor device comprising a sensor chip, a first resin that covers the inner peripheral section of the sensor chip, and a second resin that covers the outer peripheral section of the sensor chip. The semiconductor device is characterized in that: the sensor chip comprises a sensing section; the sensing section is on the inner peripheral section of the sensor chip; the first resin covers a first surface of the sensor chip that corresponds to the sensing section; and the second resin covers a second surface of the sensor chip that does not correspond to the sensing section.
(FR) L'objet de la présente invention est destiné à fixer une puce de capteur tout en empêchant une cassure de la puce de capteur. Par conséquent, dans le but de fournir un dispositif à semi-conducteurs ayant un rendement amélioré, la présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une puce de capteur, une première résine qui recouvre la section périphérique interne de la puce de capteur, et une seconde résine qui recouvre la section périphérique externe de la puce de capteur. Le dispositif à semi-conducteurs est caractérisé en ce que : la puce de capteur comprend une section de détection; la section de détection est sur la section périphérique interne de la puce de capteur; la première résine recouvre une première surface de la puce de capteur qui correspond à la section de détection; et la seconde résine recouvre une seconde surface de la puce de capteur qui ne correspond pas à la section de détection.
(JA) 本発明の目的はセンサチップの破損を抑止しつつ、センサチップの固定を図ることである。その結果、歩留まりを向上した半導体装置を提供することを目的とする センサチップと,前記センサチップの内周部を覆った第一の樹脂と,前記センサチップの外周部を覆った第二の樹脂とを備えた半導体装置であり、前記センサチップはセンシング部を有し,前記センシング部は前記センサチップの内周部にあり,前記第一の樹脂は前記センシング部に対応する前記センサチップの第一表面を覆い,前記第二の樹脂は前記センシング部に対応しない前記センサチップの第二表面を覆ったことを特徴とする半導体装置である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
JPWO2017002528