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1. (WO2017002513) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/002513 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/066247
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 01.06.2016
CIB :
H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
125
Moyens d'excitation, p.ex. électrodes, bobines
145
pour réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
64
utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
木間 智裕 KONOMA, Chihiro; JP
Mandataire :
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Données relatives à la priorité :
2015-13343902.07.2015JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abrégé :
(EN) Provided is an acoustic wave device which is not susceptible to deterioration in the characteristics even in cases where an IDT electrode is exposed to a plasma atmosphere. An acoustic wave device 1 which is provided with a piezoelectric substrate 2 and an IDT electrode 3 that is provided on the piezoelectric substrate 2, and wherein: the IDT electrode 3 comprises one or more electrode layers including an electrode layer 3A that serves as the outermost layer and a protective electrode layer 3B that protects the outermost electrode layer 3A; the protective electrode layer 3B has a higher electrical resistivity than the outermost electrode layer 3A; the outermost electrode layer 3A has a first main surface 3a that is positioned on the reverse side of the piezoelectric substrate 2-side surface and a lateral surface 3c that is continued to the first main surface 3a; the first main surface 3a and a region ranging from the first main surface 3a to at least a part of the lateral surface 3c of the outermost electrode layer 3A are covered by the protective electrode layer 3B; and the protective electrode layer 3B does not exceed the lower end P of the lateral surface 3c of the outermost electrode layer 3A.
(FR) L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques qui n'est pas sujet à une détérioration des caractéristiques même dans les cas où une électrode IDT est exposée à une atmosphère à plasma. Un dispositif à ondes acoustiques 1 est pourvu d'un substrat piézoélectrique 2 et d'une électrode IDT 3 qui est disposée sur le substrat piézoélectrique 2 : l'électrode IDT 3 comprend une ou plusieurs couches d'électrode comprenant une couche d'électrode 3A qui sert de couche la plus externe et une couche d'électrode de protection 3B qui protège la couche d'électrode la plus externe 3A ; la couche d'électrode de protection 3B a une résistivité électrique supérieure à celle de la couche d'électrode la plus externe ; la couche d'électrode la plus externe 3A a une première surface principale 3a qui est positionné sur le côté opposé de la surface latérale du substrat piézoélectrique 2 et une surface latérale 3c qui continue la première surface principale 3a ; la première surface principale 3a et une région allant de la première surface principale 3a à au moins une partie de la surface latérale 3c de la couche d'électrode la plus externe 3A sont recouvertes par la couche d'électrode de protection 3B ; et la couche d'électrode de protection 3B ne dépasse pas l'extrémité inférieure P de la surface latérale 3c de la couche d'électrode la plus externe 3A.
(JA) IDT電極がプラズマ雰囲気下に曝された場合においても、特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供する。 圧電基板2と、圧電基板2上に設けられたIDT電極3と、を備え、IDT電極3が、最表層の電極層3Aを有する少なくとも1以上の電極層と、最表層の電極層3Aを保護する保護電極層3Bと、を有しており、保護電極層3Bは、最表層の電極層3Aより電気抵抗率が大きく、最表層の電極層3Aが、圧電基板2側とは反対側に位置している第1の主面3aと、第1の主面3aに連なる側面3cとを有し、最表層の電極層3Aにおける第1の主面3aと、第1の主面3aから側面3cの少なくとも一部に至る領域とが、保護電極層3Bにより覆われており、保護電極層3Bが、最表層の電極層3Aの側面3cの下端Pを越えていない、弾性波装置1。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020170137900CN107615656JPWO2017002513US20180109236