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1. (WO2017001082) TRANSISTOR PRÉSENTANT UNE MOBILITÉ D'ÉLECTRONS ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/001082 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/059386
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 27.04.2016
CIB :
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
778
avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417
transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
Déposants :
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Inventeurs :
SCHWAIGER, Stephan; DE
JAUSS, Simon Alexander; DE
GRIEB, Michael; DE
Données relatives à la priorité :
10 2015 212 048.129.06.2015DE
Titre (DE) TRANSISTOR MIT HOHER ELEKTRONENBEWEGLICHKEIT
(EN) TRANSISTOR HAVING HIGH ELECTRON MOBILITY
(FR) TRANSISTOR PRÉSENTANT UNE MOBILITÉ D'ÉLECTRONS ÉLEVÉE
Abrégé :
(DE) Verfahren zum Herstellen eines Transistors (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) mit hoher Elektronenbeweglichkeit umfassend ein Substrat (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701) mit einer Heterostruktur (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703), insbesondere eine AlGaN/GaN-Heterostruktur, mit den Schritten: Erzeugen (8030) einer Gateelektrode durch Strukturieren einer Halbleiterschicht, die auf die Heterostruktur (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703) aufgebracht ist, wobei die Halbleiterschicht (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704) insbesondere Polysilizium aufweist, Aufbringen (8040) einer Passivierungsschicht (105, 205, 305, 405, 505, 605) auf die Halbleiterschicht (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704), Bilden (8070) von Drainbereichen und Sourcebereichen indem erste vertikale Öffnungen erzeugt werden, die mindestens bis in die Heterostruktur (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703) reichen, Erzeugen (8080) von Ohmschen Kontakten in den Drainbereichen und in den Sourcebereichen durch teilweises Verfüllen der ersten vertikalen Öffnungen mit einem ersten Metall mindestens bis zur Höhe der Passivierungsschicht (105, 205, 305, 405, 505, 605), und Aufbringen (8090) einer zweiten Metallschicht auf die Ohmschen Kontakte, wobei die zweite Metallschicht über die Passivierungsschicht (105, 205, 305, 405, 505, 605) hinausragt.
(EN) The invention relates to a method for producing a transistor (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) having high electron mobility, comprising a substrate (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701) having a heterostructure (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703), in particular an AlGaN/GaN heterostructure, comprising the steps: producing (8030) a gate electrode by structuring a semiconductor layer, which is applied to the heterostructure (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703), wherein the semiconductor layer (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704) in particular comprises polysilicon, applying (8040) a passivation layer (105, 205, 305, 405, 505, 605) to the semiconductor layer (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704), forming (8070) drain regions and source regions, in that first vertical openings are produced, which reach at least into the heterostructure (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703), producing (8080) ohmic contacts in the drain regions and in the source regions by partial filling of the first vertical openings with a first metal at least to the height of the passivation layer (105, 205, 305, 405, 505, 605), and applying (8090) a second metal layer to the ohmic contacts, wherein the second metal layer protrudes beyond the passivation layer (105, 205, 305, 405, 505, 605).
(FR) L'invention concerne un procédé pour la fabrication d'un transistor (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) présentant une mobilité d'électrons élevée, comprenant un substrat (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701) pourvu d'une hétérostructure (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703), en particulier d'une hétérostructure de type AlGaN/GaN, le procédé présentant les étapes consistant à : générer (8030) une électrode de grille par structuration d'une couche de semi-conducteur qui est appliquée sur l'hétérostructure (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703), la couche de semi-conducteur (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704) présentant en particulier du silicium polycristallin, appliquer (8040) une couche de passivation (105, 205, 305, 405, 505, 605) sur la couche de semi-conducteur (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704), former (8070) des zones de drain et des zones de source en ce que des premières ouvertures verticales sont générées, qui s'étendent au moins jusque dans l'hétérostructure (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703), générer (8080) des contacts ohmiques dans les zones de drain et dans les zones de source par remplissage partiel des premières ouvertures verticales par un premier métal au moins jusqu'à hauteur de la couche de passivation (105, 205, 305, 405, 505, 605) et appliquer (8090) une deuxième couche métallique sur les contacts ohmiques, la deuxième couche métallique s'étendant au-delà de la couche de passivation (105, 205, 305, 405, 505, 605).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Allemand (DE)
Langue de dépôt : Allemand (DE)
Également publié sous:
CN107810559US20180182880