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1. (WO2017001062) DIODE LASER AVEC RÉTROCOUPLAGE DISTRIBUÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/001062 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/055019
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 09.03.2016
CIB :
H01S 5/12 (2006.01) ,H01S 5/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
12
le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie (lasers DFB)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
20
Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
Déposants :
FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. [DE/DE]; Rudower Chaussee 17 12489 Berlin, DE
Inventeurs :
FRICKE, Jörg; DE
ERBERT, Götz; DE
CRUMP, Paul; DE
DECKER, Jonathan; DE
Mandataire :
SCHEFFLER, Marco; DE
Données relatives à la priorité :
10 2015 110 515.230.06.2015DE
Titre (DE) LASERDIODE MIT VERTEILTER RÜCKKOPPLUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
(EN) LASER DIODE HAVING DISTRIBUTED FEEDBACK AND METHOD FOR PRODUCTION
(FR) DIODE LASER AVEC RÉTROCOUPLAGE DISTRIBUÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(DE) Die Erfindung betrifft eine Laserdiode (100) umfassend: eine aktive Schicht (10); einen die aktive Schicht (10) zumindest teilweise umgebenden wellenführenden Bereich (12); eine Rückfacette (14); eine zur Auskopplung von Laserstrahlung ausgelegte Frontfacette (16), wobei sich die aktive Schicht (10) zumindest teilweise entlang einer ersten Achse (X) zwischen der Rückfacette (14) und der Frontfacette (16) erstreckt; und ein Gitter (18), das mit dem wellenführenden Bereich (12) wirkverbunden ist, wobei das Gitter (18) eine Vielzahl von Stegen (22) und Gräben (24) umfasst, dadurch gekennzeichnet, die Vielzahl der Gräben (24) derart ausgebildet ist, dass ein mittlerer Anstieg eines Kopplungsparameters P für die Vielzahl der Gräben (24) entlang des Gitters (18) ungleich Null ist, wobei der Kopplungsparameter P eines Grabens (24) durch die Formel (I) definiert ist, wobei dres ein Abstand des Grabens (24) zur aktiven Schicht (10), w eine Breite des Grabens (24) und Δn der Brechzahlunterschied zwischen einer Brechzahl des Grabens (24) und einer Brechzahl eines den Graben (24) umgebenden Materials ist. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Laserdiode, bei der eine verteilte Rückkopplung über ein Oberflächengitter hoher Ordnung bei einseitiger Strahlungsauskopplung erfolgt und bei der die Kopplungsstärke des Gitters an die Leistungsdichte der in der Laserdiode geführten Welle angepasst ist.
(EN) The invention relates to a laser diode (100) comprising: an active layer (10); a wave guiding region (12) which surrounds the active layer (10) at least in part; a rear facet (14); a front facet (16) designed for decoupling laser radiation, wherein the active layer (10) extends, at least in part, along a first axis (X) between the rear facet (14) and the front facet (16); and a grid (18) which is operatively connected to the wave-guiding region (12), wherein the grid (18) comprises a plurality of webs (22) and trenches (24), characterized in that the plurality of trenches (24) is designed such that an average rise of a coupling parameter P is not equal to zero for the plurality of trenches (24) along the grid (18), wherein the coupling parameter P of a trench (24) is defined by the formula (I), wherein d res is a distance of the trench (24) to the active layer (10), wis a width of the trench (24) and Δn is the refractive index difference between a refractive index of the trench (24) and a refractive index of a material surrounding the trench (24). The invention in particular relates to a laser diode in which a distributed feedback occurs over a surface grid of high order while radiation is decoupled on one side and in which the coupling strength of the grid is matched to the power density of the wave guided in the laser diode.
(FR) L'invention concerne une diode laser (100) comportant : une couche active (10) ; une zone guide d’ondes (12) entourant au moins en partie la couche active (10) ; une facette dorsale (14) ; une facette frontale (16) conçue pour le découplage du rayonnement laser, la couche active (10) s’étendant au moins en partie le long d’un premier axe (X) entre la facette dorsale (14) et la facette frontale (16) ; et une grille (18) qui est reliée activement à la zone guide d’ondes (12) et qui comprend une pluralité de nervures (22) et de tranchées (24). La diode laser est caractérisée en ce que la pluralité des tranchées (24) sont formées de manière qu’une montée moyenne d’un paramètre de couplage P pour la pluralité de tranchées (24) le long de la grille (18) est différente de zéro, le paramètre de couplage P d’une tranchée (24) étant définie par la formule (I) dans laquelle d res est une distance de la tranchée (24) à la couche active (10), w est une largeur de la tranchée (24) et Δn est la différence entre un indice de réfraction de la tranchée (24) et un indice de réfraction d’un matériau entourant la tranchée (24). L'invention concerne en particulier une diode laser dans laquelle un rétrocouplage distribué est effectué par l'intermédiaire d’une grille de surface d’ordre élevé en cas de découplage unilatéral du rayonnement et dans laquelle la force de couplage de la grille est adaptée à la densité de puissance de l’onde guidée dans la diode laser.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Allemand (DE)
Langue de dépôt : Allemand (DE)
Également publié sous:
EP3317931US20180145481JP2018519666CN107851966