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1. (WO2017000458) SUBSTRAT DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/000458 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/093900
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 05.11.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,G01T 1/202 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
T
MESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1
Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16
Mesure de l'intensité de radiation
20
avec des détecteurs à scintillation
202
le détecteur étant du cristal
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs :
郭炜 GUO, Wei; CN
刘兴东 LIU, Xingdong; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市 海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201510369712.529.06.2015CN
Titre (EN) RAY DETECTION SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, RAY DETECTOR
(FR) SUBSTRAT DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT
(ZH) 射线检测基板及其制造方法、射线探测器
Abrégé :
(EN) A ray detection substrate and a manufacturing method therefor, and a ray detector. The ray detection substrate comprises a base substrate (7) and a thin film transistor (81) and a signal storage unit formed on the base substrate (7). The thin film transistor (81) comprises a grid (801), an insulation layer (802), an active layer (803), a source (814), a drain (824) and a passivation layer (806) which are formed on the base substrate (7) in sequence. The signal storage unit comprises a storage capacitor (85). The storage capacitor (85) comprises a first electrode (807) and a second electrode (809). The first electrode (807) is formed on the insulation layer (802) and overlaps the drain (824). The second electrode (809) is connected to a ground line (820). The passivation layer (806) is formed on the source (814), the drain (824), the first electrode (807) and the ground line (820). By means of the manner in which the first electrode (807) overlaps the drain (824), the second electrode (809) is connected to the ground line (820) via a first through-hole (811), and a third electrode (810) is connected to the first electrode (807) via a second through-hole (822), the number of times a mask is used is reduced, thereby simplifying the machining process of ray detection substrate production and reducing the production cost.
(FR) L'invention concerne un substrat de détection de rayonnement et son procédé de fabrication, et un détecteur de rayonnement. Le substrat de détection de rayonnement comprend un substrat de base (7), et un transistor à couches minces (81) et une unité de stockage de signal formés sur le substrat de base (7). Le transistor à couches minces (81) comprend une grille (801), une couche isolante (802), une couche active (803), une source (814), un drain (824) et une couche de passivation (806) qui sont formés en séquence sur le substrat de base (7). L'unité de stockage de signal comprend un condensateur de stockage (85). Le condensateur de stockage (85) comprend une première électrode (807) et une deuxième électrode (809). La première électrode (807) est formée sur la couche isolante (802) et chevauche le drain (824). La deuxième électrode (809) est connectée à une ligne de masse (820). La couche de passivation (806) est formée sur la source (814), le drain (824), la première électrode (807) et la ligne de masse (820). Grâce au fait que la première électrode (807) chevauche le drain (824), la deuxième électrode (809) est connectée à la ligne de masse (820) par l'intermédiaire d'un premier trou traversant (811), et une troisième électrode (810) est connectée à la première électrode (807) par l'intermédiaire d'un deuxième trou traversant (822), le nombre de fois qu'un masque est utilisé est réduit, ce qui permet de simplifier le processus d'usinage pour la fabrication du substrat de détection de rayonnement et de réduire le coût de production.
(ZH) 一种射线检测基板及其制造方法和射线探测器。该射线检测基板包括:衬底基板(7)以及形成于衬底基板(7)上的薄膜晶体管(81)和信号存储单元;该薄膜晶体管(81)包括依次形成于该衬底基板(7)上的栅极(801)、绝缘层(802)、有源层(803)、源极(814)、漏极(824)和钝化层(806);该信号存储单元包括存储电容(85),该存储电容(85)包括第一电极(807)和第二电极(809),该第一电极(807)形成在该绝缘层(802)上并与该漏极(824)搭接,该第二电极(809)连接接地线(820);该钝化层(806)形成在该源极(814)、该漏极(824)、该第一电极(807)和该接地线(820)上。通过第一电极(807)与漏极(824)搭接、第二电极(809)与接地线(820)通过第一过孔(811)连接、第三电极(810)通过第二过孔(822)连接第一电极(807)的方式,减少掩膜使用次数,简化了射线检测基板生产的加工工艺,降低了生产成本。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Chinois (ZH)
Langue de dépôt : Chinois (ZH)
Également publié sous:
US20170133428