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1. (WO2016203682) PROCÉDÉ DE SUBSTRAT DE CÂBLAGE, SUBSTRAT DE CÂBLAGE ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE CÂBLAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/203682    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/001885
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 01.04.2016
CIB :
H05K 3/42 (2006.01), H05K 1/11 (2006.01), H05K 3/14 (2006.01), H05K 3/16 (2006.01), H05K 3/18 (2006.01)
Déposants : USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1-6-5, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1008150 (JP)
Inventeurs : HABU, Tomoyuki; (JP).
ENDO, Shinichi; (JP).
NAMAI, Masahito; (JP).
AIBA, Akira; (JP).
SUZUKI, Hiroko; (JP).
HORIBE, Hiroki; (JP).
MARUYAMA, Shun; (JP)
Mandataire : KONISHI, Kay; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-122687 18.06.2015 JP
Titre (EN) WIRING SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, WIRING SUBSTRATE, AND WIRING SUBSTRATE MANUFACTURING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE SUBSTRAT DE CÂBLAGE, SUBSTRAT DE CÂBLAGE ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE CÂBLAGE
(JA) 配線基板の製造方法、配線基板及び配線基板製造装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention achieves the miniaturization of a wiring pattern while ensuring adhesion of a seed layer and an insulating layer. Manufacturing steps for a wiring substrate include: a first step for forming a through-hole that penetrates the insulating layer in a wiring substrate material formed by laminating the insulating layer on a conductive layer; a second step for desmearing the wiring substrate material after the first step by irradiating the wiring substrate material with ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or below; a third step for forming the seed layer by causing material particles to collide with and adhere to the inside of the through-hole and onto the insulating layer after the second step; and a fourth step for forming a plated layer comprising a conductive material on the seed layer by electrolytic plating.
(FR)La présente invention réalise la miniaturisation d'un motif de câblage tout en assurant l'adhérence d'une couche germe et d'une couche isolante. La fabrication d'un substrat de câblage comprend les étapes suivantes : une première étape consistant à former un trou traversant qui pénètre la couche isolante dans un matériau de substrat de câblage formé par la stratification de la couche isolante sur une couche conductrice ; une deuxième étape consistant en un déglaçage du matériau de substrat de câblage après la première étape par exposition du matériau de substrat de câblage à une lumière ultraviolette ayant une longueur d'onde inférieure ou égale à 220 nm ; une troisième étape consistant à former la couche germe en amenant les particules de matières à entrer en collision avec le trou traversant et à adhérer à l'intérieur de ce dernier ainsi que sur la couche isolante après la deuxième étape ; et une quatrième étape consistant à former une couche plaquée comprenant un matériau conducteur sur la couche germe par placage électrolytique.
(JA)シード層と絶縁層との密着性を担保しつつ、配線パターンの微細化を実現する。配線基板の製造工程として、導電層の上に絶縁層が積層された配線基板材料に対して、絶縁層を貫通する貫通孔を形成する第一工程と、第一工程の後、配線基板材料に対して波長220nm以下の紫外線を照射することにより、当該配線基板材料のデスミア処理を行う第二工程と、第二工程の後、貫通孔内および絶縁層の上に、材料粒子を衝突させ付着させることでシード層を形成する第三工程と、シード層の上に、電解めっきにより導電材料からなるめっき層を形成する第四工程と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)