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1. (WO2016200693) PROCÉDÉ DE FORMATION DE STRUCTURES D'ISOLATION PAR TRANCHÉE PEU PROFONDE (STI)
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N° de publication : WO/2016/200693 N° de la demande internationale : PCT/US2016/035785
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 03.06.2016
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED[US/US]; 2355 West Chandler Blvd. Chandler, Arizona 85224-6199, US
Inventeurs : SATO, Justin Hiroki; US
STOM, Gregory Allen; US
Mandataire : SLAYDEN, Bruce W., II; US
Données relatives à la priorité :
14/735,35910.06.2015US
Titre (EN) METHOD OF FORMING SHALLOW TRENCH ISOLATION (STI) STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE STRUCTURES D'ISOLATION PAR TRANCHÉE PEU PROFONDE (STI)
Abrégé : front page image
(EN) A method of forming a trench isolation (e.g., an STI) for an integrated circuit includes forming a pad oxide layer and then a nitride layer over a semiconductor substrate, performing a trench etch through the structure to form a trench, depositing a trench oxide layer over the structure to form a filled trench, depositing a sacrificial planarizing layer, which is etch-selective to the trench oxide layer, over the deposited oxide, performing a planarizing etch process that removes the sacrificial planarizing layer and decreases surface variations in an upper surface of the trench oxide layer, performing an oxide etch process that is selective to the trench oxide layer to remove remaining portions of the trench oxide layer outside the filled trench, and removing the remaining nitride layer such that the remaining oxide-filled trench defines a trench isolation structure that projects above an exposed upper surface of the semiconductor substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'une isolation par tranchée (par exemple, une isolation par tranchée peu profonde (STI)) pour un circuit intégré, qui consiste à former une couche d'oxyde de plot et ensuite une couche de nitrure sur un substrat semi-conducteur, à effectuer une gravure de tranchée dans la structure afin de former une tranchée, à déposer une couche d'oxyde de tranchée sur la structure pour former une tranchée remplie, à déposer une couche de planarisation sacrificielle, qui permet une gravure sélective par rapport à la couche d'oxyde de tranchée, sur l'oxyde déposé, à effectuer un processus de gravure de planarisation qui retire la couche de planarisation sacrificielle et diminue les variations de surface dans une surface supérieure de la couche d'oxyde de tranchée, à effectuer un processus de gravure d'oxyde qui est sélectif de la couche d'oxyde de tranchée afin de retirer des parties restantes de la couche d'oxyde de tranchée à l'extérieur de la tranchée remplie, et à éliminer la couche de nitrure restante de manière que la tranchée remplie par l'oxyde restant définisse une structure d'isolation par tranchée qui fait saillie au-dessus d'une surface supérieure apparente du substrat semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)