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1. (WO2016198895) ÉLÉMENT À FILMS MINCES PIÉZOÉLECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/198895    N° de la demande internationale :    PCT/GB2016/051741
Date de publication : 15.12.2016 Date de dépôt international : 10.06.2016
CIB :
H01L 41/04 (2006.01), H01L 41/08 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), B41J 2/14 (2006.01), H01L 41/083 (2006.01)
Déposants : XAAR TECHNOLOGY LIMITED [GB/GB]; 316 Science Park Cambridge CB4 0XR (GB)
Inventeurs : MARDILOVICH, Peter; (GB).
TROLIER-MCKINSTRY, Susan; (US).
SIVARAMAKRISHNAN, Subramanian; (GB)
Mandataire : TLIP LTD; Leeds Innovation Centre 103 Clarendon Road Leeds Yorkshire LS2 9DF (GB)
Données relatives à la priorité :
62/175,056 12.06.2015 US
1522871.1 24.12.2015 GB
Titre (EN) A PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À FILMS MINCES PIÉZOÉLECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)There is disclosed a piezoelectric thin film element (20) comprising a first electrode (22), a second electrode (23) and one or more piezoelectric thin films there between wherein the thin film element has at least two of: • an electrode arrangement in which electrodes are arranged with the one or more piezoelectric thin films so that an electric field applied to a piezoelectric thin film or a portion of a piezoelectric thin film adjacent to the first electrode is lower than an electric field applied to a piezoelectric thin film or a portion of a piezoelectric thin film further from the first electrode when the piezoelectric thin film element actuated; • a piezoelectric thin film adjacent to the first electrode in which a layer of the piezoelectric thin film near to the first electrode has a piezoelectric displacement constant which is lower than that of a layer of the piezoelectric thin film further from the first electrode; and • a piezoelectric thin film adjacent to the first electrode in which a layer of the piezoelectric thin film near to the first electrode has an elastic modulus which is lower than that of a layer of the piezoelectric thin film further from the first electrode.
(FR)L'invention concerne un élément à films minces piézoélectriques (20) comprenant une première électrode (22), une seconde électrode (23) et un ou plusieurs films minces piézoélectriques entre elles, l'élément à films minces comportant au moins deux éléments parmi : • un agencement d'électrodes dans lequel des électrodes sont agencées avec lesdits un ou plusieurs films minces piézoélectriques de manière qu'un champ électrique appliqué à un film mince piézoélectrique ou une partie d'un film mince piézoélectrique adjacent à la première électrode soit inférieur à un champ électrique appliqué à un film mince piézoélectrique ou une partie d'un film mince piézoélectrique plus éloigné de la première électrode quand l'élément à films minces piézoélectriques est actionné ; • un film mince piézoélectrique adjacent à la première électrode dans lequel une couche du film mince piézoélectrique proche de la première électrode possède une constante de déplacement piézoélectrique qui est inférieure à celle d'une couche du film mince piézoélectrique plus éloignée de la première électrode ; et • un film mince piézoélectrique adjacent à la première électrode dans lequel une couche du film mince piézoélectrique proche de la première électrode possède un module d'élasticité qui est inférieur à celui d'une couche du film mince piézoélectrique plus éloignée de la première électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)