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1. (WO2016194880) PROCÉDÉ DE MESURE DE SUPERFICIE D'UNE SURFACE DE CUIVRE RUGUEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/194880    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/065943
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 31.05.2016
CIB :
G01N 27/48 (2006.01), G01N 27/42 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP)
Inventeurs : HIRAGA Tomoko; (JP).
IKEDA Kaduhiko; (JP)
Mandataire : KOBAYASHI Hiroshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-113697 04.06.2015 JP
Titre (EN) METHOD FOR MEASURING SURFACE AREA OF ROUGHENED COPPER SURFACE
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE SUPERFICIE D'UNE SURFACE DE CUIVRE RUGUEUSE
(JA) 粗化された銅表面の表面積測定方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for measuring, conveniently and with high precision, the surface area of an etching-roughened copper surface. This problem can be solved by a method for measuring the surface area of a roughened copper surface, wherein the measurement method includes a first step for removing, using a constant electric potential, naturally oxidized copper formed on a metallic copper surface, a second step for forming a monomolecular layer of a dissimilar metal using a constant electric potential on the metallic copper surface from which the naturally oxidized copper is removed, and a third step for dissolving the monomolecular layer of the dissimilar metal using a constant electric potential, the surface area of the roughened copper surface being found by calculating the amount of anode electricity used to dissolve the monomolecular layer of the dissimilar metal.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de mesurer, de manière pratique et avec une grande précision, la superficie d'une surface de cuivre rendue rugueuse par une attaque chimique. Ce problème peut être résolu par un procédé permettant de mesurer la superficie d'une surface de cuivre rugueuse, le procédé de mesure comprenant une première étape consistant à éliminer, à l'aide d'un potentiel électrique constant, le cuivre oxydé naturellement formé sur une surface de cuivre métallique, une deuxième étape consistant à former une couche monomoléculaire d'un métal de nature différente à l'aide d'un potentiel électrique constant sur la surface de cuivre métallique de laquelle le cuivre oxydé naturellement est éliminé, et une troisième étape consistant à dissoudre la couche monomoléculaire du métal de nature différente à l'aide d'un potentiel électrique constant, la superficie de la surface de cuivre rugueuse étant déterminée en calculant la quantité d'électricité anodique utilisée pour dissoudre la couche monomoléculaire du métal de nature différente.
(JA)エッチング粗化された銅表面の表面積を簡便かつ高精度で測定する方法を提供する。 上記課題は、粗化された銅表面の表面積を測定する方法であって、金属銅の表面に生成される自然酸化銅を定電位で除去する第1工程と、前記自然酸化銅が除去された金属銅の表面に、定電位で異種金属の単分子層を形成する第2工程と、前記異種金属の単分子層を定電位で溶解する第3工程とを含み、前記異種金属の単分子層を溶解するのに使用されたアノード電気量を算出することによって、粗化された銅表面の表面積を求める、前記測定方法によって解決することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)