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1. (WO2016193436) PHOTODIODE À SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/193436 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/062661
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 03.06.2016
CIB :
H01L 31/101 (2006.01) ,G02B 6/12 (2006.01) ,H01L 31/107 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
10
du type guide d'ondes optiques
12
du genre à circuit intégré
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
107
la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
Déposants :
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
Inventeurs :
RUNGE, Patrick; DE
BECKERWERTH, Tobias; DE
SEIFERT, Sten; DE
Mandataire :
MAIKOWSKI & NINNEMANN PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB; 15 09 20 Postfach 15 09 20 10671 Berlin, DE
Données relatives à la priorité :
10 2015 210 343.904.06.2015DE
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE À SEMICONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERFOTODIODE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a semiconductor photodiode comprising a light-absorbing layer (111); an optical waveguide (12) by means of which the light (L) can be coupled into said light-absorbing layer (111) in an evanescent manner; and a doped contact layer (113) arranged between said light-absorbing layer (111) and optical waveguide (12). According to the invention, the optical waveguide (12) is doped in at least some sections generating a diffusion barrier that counteracts diffusion of the dopant of the contact layer (113) into the optical waveguide (12). The invention also relates to a method for producing a semiconductor photodiode.
(FR) L’invention concerne une photodiode à semi-conducteur qui comporte une couche d’absorption de lumière (111) ; un guide d’onde optique (12) qui permet d’injecter de la lumière (L) de manière évanescente dans la couche d’absorption de lumière (111) et une couche de contact (113) dopée disposée entre la couche d’absorption de lumière (111) et le guide d’onde optique (12). Selon l’invention, le guide d’onde optique (12) présente au moins par endroits un dopage qui génère une barrière de diffusion s’opposant à la diffusion du dopant de la couche de contact (113) dans le guide d’onde optique (12). L’invention concerne également un procédé de fabrication d’une photodiode à semi-conducteur.
(DE) Die Erfindung betrifft eine Halbleiterfotodiode, mit einer lichtabsorbierenden Schicht (111); einem optischen Wellenleiter (12), über den Licht (L) evaneszent in die lichtabsorbierende Schicht (111) einkoppelbar ist, und einer zwischen der lichtabsorbierenden Schicht (111) und dem optischen Wellenleiter (12) angeordneten dotierten Kontaktschicht (113). Erfindungsgemäß weist der optische Wellenleiter (12) zumindest abschnittsweise eine Dotierung auf, die eine einem Eindiffundieren von Dotierstoff der Kontaktschicht (113) in den optischen Wellenleiter (12) entgegenwirkende Diffusionsbarriere erzeugt. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterfotodiode.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)