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1. (WO2016193436) PHOTODIODE À SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/193436    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/062661
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 03.06.2016
CIB :
H01L 31/101 (2006.01), G02B 6/12 (2006.01), H01L 31/107 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München (DE)
Inventeurs : RUNGE, Patrick; (DE).
BECKERWERTH, Tobias; (DE).
SEIFERT, Sten; (DE)
Mandataire : MAIKOWSKI & NINNEMANN PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB; 15 09 20 Postfach 15 09 20 10671 Berlin (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 210 343.9 04.06.2015 DE
Titre (DE) HALBLEITERFOTODIODE
(EN) SEMICONDUCTOR PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE À SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Halbleiterfotodiode, mit einer lichtabsorbierenden Schicht (111); einem optischen Wellenleiter (12), über den Licht (L) evaneszent in die lichtabsorbierende Schicht (111) einkoppelbar ist, und einer zwischen der lichtabsorbierenden Schicht (111) und dem optischen Wellenleiter (12) angeordneten dotierten Kontaktschicht (113). Erfindungsgemäß weist der optische Wellenleiter (12) zumindest abschnittsweise eine Dotierung auf, die eine einem Eindiffundieren von Dotierstoff der Kontaktschicht (113) in den optischen Wellenleiter (12) entgegenwirkende Diffusionsbarriere erzeugt. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterfotodiode.
(EN)The invention relates to a semiconductor photodiode comprising a light-absorbing layer (111); an optical waveguide (12) by means of which the light (L) can be coupled into said light-absorbing layer (111) in an evanescent manner; and a doped contact layer (113) arranged between said light-absorbing layer (111) and optical waveguide (12). According to the invention, the optical waveguide (12) is doped in at least some sections generating a diffusion barrier that counteracts diffusion of the dopant of the contact layer (113) into the optical waveguide (12). The invention also relates to a method for producing a semiconductor photodiode.
(FR)L’invention concerne une photodiode à semi-conducteur qui comporte une couche d’absorption de lumière (111) ; un guide d’onde optique (12) qui permet d’injecter de la lumière (L) de manière évanescente dans la couche d’absorption de lumière (111) et une couche de contact (113) dopée disposée entre la couche d’absorption de lumière (111) et le guide d’onde optique (12). Selon l’invention, le guide d’onde optique (12) présente au moins par endroits un dopage qui génère une barrière de diffusion s’opposant à la diffusion du dopant de la couche de contact (113) dans le guide d’onde optique (12). L’invention concerne également un procédé de fabrication d’une photodiode à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)