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1. (WO2016192434) PROCÉDÉ DE RETRAIT D'UN SUBSTRAT DE CROISSANCE PAR CORROSION CHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/192434 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/076453
Date de publication : 08.12.2016 Date de dépôt international : 16.03.2016
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : CHIP FOUNDATION TECHNOLOGY LTD.[CN/CN]; Rm T1046, Building 3 No. 151 Chuansha Rd., Pudong New District Shanghai 201200, CN
Inventeurs : HAO, Maosheng; CN
YUAN, Genru; CN
XI, Ming; CN
Mandataire : J.Z.M.C.PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; YU Mingwei,Room5022 No.335,GUO Ding Road, Yangpu District Shanghai 200092, CN
Données relatives à la priorité :
201510290140.129.05.2015CN
Titre (EN) METHOD FOR REMOVING GROWTH SUBSTRATE BY UTILIZING CHEMICAL CORROSION
(FR) PROCÉDÉ DE RETRAIT D'UN SUBSTRAT DE CROISSANCE PAR CORROSION CHIMIQUE
(ZH) 一种利用化学腐蚀的方法剥离生长衬底的方法
Abrégé : front page image
(EN) A method for removing a growth substrate, comprising: first etching a semiconductor medium pattern layer and then forming a cavity structure between the substrate and the epitaxial layer, subsequently introducing a chemical agent capable of etching the epitaxial buffer layer into the cavity structure to etch the epitaxial buffer layer, so that the integral removing of the growth substrate is realized. The method provided for removing the growth substrate can be used for preparing a self-supported III-V group nitride substrate and can also be used for transferring a relatively thin III-V group nitride epitaxial layer device structure to other support substrates from the growth substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de retrait d'un substrat de croissance, qui consiste d'abord à graver une couche de motif de support semi-conducteur; puis à former une structure de cavité entre le substrat et la couche épitaxiale, avant d'introduire un agent chimique de gravure de la couche tampon épitaxiale dans la structure de cavité pour graver la couche tampon épitaxiale, de façon à réaliser le retrait intégral du substrat de croissance. Ce procédé de retrait du substrat de croissance peut être mis en oeuvre pour préparer un substrat autonome de nitrure des groupes III-V; il peut également être mis en oeuvre pour transférer une structure de dispositif à couche épitaxiale relativement mince de nitrure des groupes III-V à d'autres substrats de support, à partir du substrat de croissance.
(ZH) 一种剥离生长衬底的方法,包括:首先腐蚀掉半导体介质图形层之后在衬底和外延层之间形成空洞结构,然后使能够腐蚀外延缓冲层的化学试剂进入空洞结构腐蚀掉外延层缓冲层,实现生长衬底的完整剥离。提供的剥离生长衬底的方法可以用来制作自支撑的III-V族氮化物衬底,也可以将比较薄的III-V族氮化物外延层器件结构从生长衬底转移到其他支撑衬底上。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)