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1. (WO2016192434) PROCÉDÉ DE RETRAIT D'UN SUBSTRAT DE CROISSANCE PAR CORROSION CHIMIQUE

Pub. No.:    WO/2016/192434    International Application No.:    PCT/CN2016/076453
Publication Date: Fri Dec 09 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Thu Mar 17 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 33/00
Applicants: CHIP FOUNDATION TECHNOLOGY LTD.
上海芯元基半导体科技有限公司
Inventors: HAO, Maosheng
郝茂盛
YUAN, Genru
袁根如
XI, Ming
奚明
Title: PROCÉDÉ DE RETRAIT D'UN SUBSTRAT DE CROISSANCE PAR CORROSION CHIMIQUE
Abstract:
L'invention concerne un procédé de retrait d'un substrat de croissance, qui consiste d'abord à graver une couche de motif de support semi-conducteur; puis à former une structure de cavité entre le substrat et la couche épitaxiale, avant d'introduire un agent chimique de gravure de la couche tampon épitaxiale dans la structure de cavité pour graver la couche tampon épitaxiale, de façon à réaliser le retrait intégral du substrat de croissance. Ce procédé de retrait du substrat de croissance peut être mis en oeuvre pour préparer un substrat autonome de nitrure des groupes III-V; il peut également être mis en oeuvre pour transférer une structure de dispositif à couche épitaxiale relativement mince de nitrure des groupes III-V à d'autres substrats de support, à partir du substrat de croissance.