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1. (WO2016190665) ÉLÉMENT D'ÉMISSION DE LUMIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/190665    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/005541
Date de publication : 01.12.2016 Date de dépôt international : 25.05.2016
CIB :
H01L 33/36 (2010.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 17th Floor, LG Seoulsationbuilding 98 Huam-ro, Jung-gu Seoul 04637 (KR)
Inventeurs : PARK, Sun Woo; (KR).
SUNG, Dong Hyun; (KR).
LEE, Dae Hee; (KR).
LEE, Byoung Woo; (KR).
CHOI, Kwang Ki; (KR).
HAN, Jae Cheon; (KR)
Mandataire : DANA PATENT LAW FIRM; 4~6th Floor, New Wing, Gwangsung Bldg. 11, Yeoksam-ro 3-gil Gangnam-gu Seoul 06242 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0073103 26.05.2015 KR
Titre (EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'ÉMISSION DE LUMIÈRE
(KO) 발광소자
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed according to one embodiment is a light-emitting element comprising: a light-emitting structure comprising a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer; a second conductive layer electrically connected to the second semiconductor layer; a first conductive layer which is disposed in a plurality of via holes passing through the light-emitting structure and second conductive layer and comprises a plurality of through electrodes electrically connected to the first semiconductor layer; an insulation layer for electrically insulating the plurality of through electrodes from the active layer, second semiconductor layer, and second conductive layer; and an electrode pad disposed in an exposed area of the second conductive layer, wherein the farther away the second conductive layer disposed between the plurality of through electrodes is from the electrode pad, the greater the width of the second conductive layer becomes.
(FR)Selon un mode de réalisation, la présente invention porte sur un élément d'émission de lumière comprenant : une structure d'émission de lumière comprenant une première couche semi-conductrice, une couche active, et une seconde couche semi-conductrice; une seconde couche conductrice connectée électriquement à la seconde couche semi-conductrice; une première couche conductrice qui est disposée dans une pluralité de trous d'interconnexion passant à travers la structure d'émission de lumière et une seconde couche conductrice et comprend une pluralité d'électrodes traversantes connectées électriquement à la première couche semi-conductrice; une couche d'isolation destiné à isoler électriquement la pluralité d'électrodes traversantes de la couche active, la seconde couche semi-conductrice, et la seconde couche conductrice; et une plage d'électrode disposée dans une zone exposée de la seconde couche conductrice. Plus la deuxième couche conductrice disposée entre la pluralité d'électrodes traversantes est éloignée de la plage d'électrode, plus la largeur de la seconde couche conductrice devient grande.
(KO)실시예는 제1반도체층, 활성층, 및 제2반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제2반도체층과 전기적으로 연결되는 제2도전층; 상기 발광 구조물 및 상기 제2도전층을 관통하는 복수 개의 비아홀에 배치되어 상기 제1반도체층과 전기적으로 연결되는 복수 개의 관통전극을 포함하는 제1도전층; 상기 복수 개의 관통전극을 상기 활성층, 제2반도체층, 및 제2도전층과 전기적으로 절연하는 절연층; 및 상기 제2도전층이 노출된 영역에 배치되는 전극패드를 포함하고, 상기 복수 개의 관통전극 사이에 배치되는 상기 제2도전층의 폭은 상기 전극패드에서 멀어질수록 길어지는 발광소자를 개시한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)