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1. (WO2016153725) OPÉRATIONS DE LECTURE DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/153725    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/019974
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 26.02.2016
CIB :
G06F 13/16 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : GUO, Xin; (US).
CARLTON, David B.; (US).
NELSON, Scott; (CA).
PELSTER, David J.; (US).
SEBASTIAN, Donia; (US)
Mandataire : OSBORNE, David W.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/670,250 26.03.2015 US
Titre (EN) READ OPERATIONS IN MEMORY DEVICES
(FR) OPÉRATIONS DE LECTURE DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)Apparatus, systems, and methods to implement read operations in nonvolatile memory devices are described. In one example, a controller comprises logic to receive a first read request from a host device, place the first read request in a read queue comprising a plurality of read requests directed to the nonvolatile memory, determine a first target die and a first target plane in the nonvolatile memory for the first read request and combine the first read request with at least a second read request in the read queue to form a combined read request, wherein the second read request comprise a second target die, which is the same as the first target die, and a second target plane which is different from the first target plane. Other examples are also disclosed and claimed.
(FR)L'invention concerne des appareils, des systèmes et des procédés pour la mise en œuvre d'opérations de lecture dans des dispositifs de mémoire non volatiles. Dans un exemple, un contrôleur comprend une logique pour la réception d'une première demande de lecture en provenance d'un dispositif hôte, le placement de la première demande de lecture dans une file de lecture comprenant une pluralité de demandes de lecture adressées vers la mémoire non volatile, la détermination d'une première puce cible et d'un premier plan cible dans la mémoire non volatile pour la première demande de lecture et la combinaison de la première demande de lecture avec au moins une seconde demande de lecture dans la file de lecture afin de former une demande de lecture combinée, la seconde demande de lecture comprenant une seconde puce cible, qui est la même que la première puce cible, et un second plan cible qui est différent du premier plan cible. D'autres exemples sont également décrits et revendiqués.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)