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1. (WO2016152397) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/152397    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/056119
Date de publication : 29.09.2016 Date de dépôt international : 29.02.2016
CIB :
H01L 33/10 (2010.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : OHMI Susumu; (--).
KURISU Takashi; (--).
NAGATA Masayuki; (--).
ROBERTS Peter John; (GB)
Mandataire : SANO PATENT OFFICE; 5F, Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-059740 23.03.2015 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子
Abrégé : front page image
(EN)This nitride semiconductor light emitting element 1 is provided with: a substrate 11; an n-type nitride semiconductor layer; an active layer; a p-type nitride semiconductor layer; an exposed part 12a on the n-type nitride semiconductor layer; a second current diffusion layer 14b that is formed in a region on the p-type nitride semiconductor layer; a plurality of second current non-injection layers 13d that are formed in regions on the p-type nitride semiconductor layer, said regions being different from the above-described region on the p-type nitride semiconductor layer; an n-side electrode 17a that is formed on the exposed part 12a on the n-type nitride semiconductor layer; a p-side electrode 17b that is formed on the second current diffusion layer 14b; and an extension part 17d of the p-side electrode 17b, which is extended from the p-side electrode 17b and is formed on the p-type nitride semiconductor layer. The plurality of second current non-injection layers 13d are formed below the extension part 17d of the p-side electrode 17b.
(FR)L'invention porte sur un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure (1) comprenant : un substrat (11); une couche de semi-conducteur au nitrure du type n; une couche active; une couche de semi-conducteur au nitrure du type p; une partie apparente (12a) sur la couche de semi-conducteur au nitrure du type n; une seconde couche de diffusion de courant (14b) qui est formée dans une région sur la couche de semi-conducteur au nitrure du type p; une pluralité de secondes couches de non injection de courant (13d) qui sont formées dans des régions sur la couche de semi-conducteur au nitrure du type p, lesdites régions étant différentes de la région décrite ci-dessus sur la couche de semi-conducteur au nitrure du type p; une électrode côté n (17a) qui est formée sur la partie apparente (12a) sur la couche de semi-conducteur au nitrure du type n; une électrode côté p (17b) qui est formée sur la seconde couche de diffusion de courant (14b); et une partie d'extension (17d) de l'électrode côté p (17b), qui s'étend à partir de l'électrode côté p (17b) et est formée sur la couche de semi-conducteur au nitrure du type p. La pluralité de secondes couches de non injection de courant (13d) sont formées au-dessous de la partie d'extension (17d) de l'électrode côté p (17b).
(JA)窒化物半導体発光素子1は基板11、n型窒化物半導体層、活性層、p型窒化物半導体層、n型窒化物半導体層上の露出部12a、p型窒化物半導体層上の一部領域に形成された第2の電流拡散層14b、p型窒化物半導体層上の前記一部領域とは異なる他の領域に形成された複数の第2の電流非注入層13dと、n型窒化物半導体層上の露出部12a上に形成されたn側電極17a、第2の電流拡散層14b上に形成されたp側電極17b及びp側電極17bから延伸されてp型窒化物半導体層上に形成されたp側電極17bの延伸部17dを備える。複数の第2の電流非注入層13dはp側電極17bの延伸部17d下に形成される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)