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1. (WO2016147814) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/147814    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/055244
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 23.02.2016
CIB :
H03H 9/25 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : KOREEDA, Toshishige; (JP).
SUMII, Hijiri; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-051813 16.03.2015 JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 弾性波装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an elastic wave device that has an excellent degree of parallelism between the top surface of a sealing resin and a terminal electrode, and that is not susceptible to contact defects between the terminal electrode on a mounting substrate and a scanning electrode. An elastic wave device 1 is provided with the following: an elastic wave element 2 having a piezoelectric substrate 13 having a first primary surface 13a and a second primary surface 13b that are opposite each other, IDT electrodes 14 that are provided on the second primary surface 13b of the piezoelectric substrate 13, a support member 15 that is provided on the second primary surface 13b of the piezoelectric substrate 13 so as to surround the IDT electrodes 14 in plan view, and a cover member 16 that is provided on the support member 15 and seals in the support member 15, the piezoelectric substrate 13, and the IDT electrodes 14; a mounting substrate 3 on which the elastic wave element 2 is mounted; and a sealing resin 7 that is provided on the top surface 7a side of the mounting substrate 3, and that seals in the elastic wave element 2. The thickness of the mounting substrate 3 is smaller than the thickness measured from the surface of the sealing resin 7 in contact with the top surface of the mounting substrate 3 to the surface of the sealing resin opposite to the mounting substrate 3.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à ondes élastiques qui présente un excellent degré de parallélisme entre la surface supérieure d'une résine d'étanchéité et une électrode de borne, et qui n'est pas sensible aux défauts de contact entre l'électrode de borne sur un substrat de montage et une électrode de balayage. Un dispositif à ondes élastiques (1) est équipé des éléments suivants : un élément à ondes élastiques (2) comportant un substrat piézoélectrique (13) comportant une première surface primaire et une seconde surface primaire (13b) qui sont en face l'une de l'autre, des électrodes IDT (14) qui sont prévues sur la seconde surface primaire (13b) du substrat piézoélectrique (13), un élément de support (15) qui est prévu sur la seconde surface primaire (13b) du substrat piézoélectrique (13) de manière à entourer les électrodes IDT (14), dans une vue en plan, et un élément de couvercle (16) qui est prévu sur l'élément de support (15) et qui scelle l'élément de support (15), le substrat piézoélectrique (13) et les électrodes IDT (14) ; un substrat de montage sur lequel l'élément à ondes élastiques (2) est monté ; et une résine d'étanchéité (7) qui est prévue sur le côté surface supérieure (7a) du substrat de montage (3), et qui scelle l'élément à ondes élastiques (2). L'épaisseur du substrat de montage (3) est inférieure à l'épaisseur mesurée à partir de la surface de la résine d'étanchéité (7) en contact avec la surface supérieure du substrat de montage (3) à la surface de la résine d'étanchéité en face du substrat de montage (3).
(JA) 封止樹脂の上面と端子電極との平行度が良好であり、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良が生じ難い、弾性波装置を提供する。 弾性波装置1は、対向し合っている第1の主面13a及び第2の主面13bを有する圧電基板13と、圧電基板13の第2の主面13bに設けられているIDT電極14と、平面視において、IDT電極14を囲むように、圧電基板13の第2の主面13b上に設けられている支持部材15と、支持部材15上に設けられており、支持部材15と圧電基板13と共にIDT電極14を封止しているカバー部材16と、を有する弾性波素子2と、弾性波素子2が実装されている実装基板3と、実装基板3の上面7a側に設けられており、弾性波素子2を封止している封止樹脂7とを備える。封止樹脂7の実装基板3の上面に接している面から、実装基板3とは反対側の面までの距離である厚みよりも実装基板3の厚みは薄い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)