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1. (WO2016147565) CELLULE DE BATTERIE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/147565 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/000941
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 23.02.2016
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0745
comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
0747
comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT
Déposants :
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventeurs :
藤嶋 大介 FUJISHIMA, Daisuke; --
Mandataire :
森下 賢樹 MORISHITA, Sakaki; JP
Données relatives à la priorité :
2015-05213716.03.2015JP
Titre (EN) SOLAR BATTERY CELL
(FR) CELLULE DE BATTERIE SOLAIRE
(JA) 太陽電池セル
Abrégé :
(EN) A solar battery cell 70, provided with a crystalline semiconductor substrate 10, a passivation layer formed on the main surface of the semiconductor substrate 10 from a material having an amorphous structure, a contact layer formed on the passivation layer from a material having a microcrystalline structure, and a tin dioxide (SnO2) layer 22 provided on the contact layer. The contact layer may contain an indium-tin oxide (ITO) layer 21. The semiconductor substrate 10 has a first region W1 and a second region W2 on the main surface. The passivation layer may have a first conductivity-type layer 12n formed from n-type amorphous silicon on the first region W1, and a second conductivity-type layer 13p formed from p-type amorphous silicon on the second region W2.
(FR) L'invention concerne une cellule de batterie solaire (70) pourvue d'un substrat semi-conducteur cristallin (10), d'une couche de passivation formée sur la surface principale du substrat semi-conducteur (10) dans un matériau ayant une structure amorphe, d'une couche de contact formée sur la couche de passivation dans un matériau ayant une structure microcristalline, et d'une couche de dioxyde d'étain (SnO2) (22) qui est disposée sur la couche de contact. La couche de contact peut contenir une couche d'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) (21). Le substrat semi-conducteur (10) présente une première région W1 et une seconde région W2 sur la surface principale. La couche de passivation peut comporter une couche d'un premier type de conductivité (12n) formée dans du silicium amorphe de type n sur la première région W1, et une couche d'un second type de conductivité (13p) formée dans du silicium amorphe sur la seconde région W2.
(JA)  太陽電池セル70は、結晶性の半導体基板10と、半導体基板10の主面上に非晶質構造を有する材料で形成されるパッシベーション層と、パッシベーション層上に微結晶構造を有する材料で形成されるコンタクト層と、コンタクト層上に設けられる二酸化錫(SnO)層22と、を備える。コンタクト層は、インジウム錫酸化物(ITO)層21を含んでもよい。半導体基板10は、主面上に第1領域W1と第2領域W2とを有し、パッシベーション層は、第1領域W1上にn型の非晶質シリコンで形成される第1導電型層12nと、第2領域W2上にp型の非晶質シリコンで形成される第2導電型層13pとを有してもよい。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)