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1. (WO2016143020) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET DISPOSITIF DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/143020    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/056790
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 09.03.2015
CIB :
H01L 31/105 (2006.01), H01L 31/0312 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventeurs : KAMESHIRO Norifumi; (JP).
SHIMA Akio; (JP)
Mandataire : SEIRYO I.P.C.; 24-2, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) RADIATION DETECTOR AND RADIATION DETECTION DEVICE USING SAME
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET DISPOSITIF DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT L'UTILISANT
(JA) 放射線検出器およびそれを用いた放射線検出装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a radiation detector that uses SiC, that has a structure in which an electric field is applied within all of SiC crystals serving as a radiation-sensitive layer, and that minimizes decreases in an electrical signal generated by the radiation-sensitive layer and detects radiation. The radiation detector is provided with: a radiation-sensitive layer that comprises silicon carbide and that generates electron-hole pairs when radiation is incident thereon; a first semiconductor region that is in contact with the radiation-sensitive layer at a first main surface thereof and that has a first impurity concentration in at least the region in contact with the radiation-sensitive layer; a second semiconductor region that is in contact with a second main surface on the opposite side from the first main surface and that has a second impurity concentration in at least the region in contact with the radiation-sensitive layer; a first electrode that is connected with the first semiconductor region; and a second electrode that is connected with the second semiconductor region. The impurity concentration within the radiation-sensitive layer adjacent to the first semiconductor region is discontinuous with the first impurity concentration and the first main surface serves as a boundary therebetween. The impurity concentration within the radiation-sensitive layer adjacent to the second semiconductor region is discontinuous with the second impurity concentration and the second main surface serves as a boundary therebetween. An electric field is applied to all of the radiation-sensitive layer in the depth direction at the voltage used during operation.
(FR)La présente invention porte sur un détecteur de rayonnement qui utilise du SiC, qui a une structure dans laquelle un champ électrique est appliqué à l'intérieur de tous les cristaux de SiC servant en tant que couche sensible au rayonnement, et qui réduit à un minimum des diminutions dans un signal électrique généré par la couche sensible au rayonnement et détecte le rayonnement. Le détecteur de rayonnement comporte : une couche sensible au rayonnement qui comprend du carbure de silicium et qui génère des paires électron-trou lorsque le rayonnement est incident sur cette dernière; une première région semi-conductrice qui est en contact avec la couche sensible au rayonnement au niveau d'une première surface principale de cette dernière et qui a une première concentration en impuretés dans au moins la région en contact avec la couche sensible au rayonnement; une seconde région semi-conductrice qui est en contact avec une seconde surface principale sur le côté opposé de la première surface principale et qui a une seconde concentration en impuretés dans au moins la région en contact avec la couche sensible au rayonnement; une première électrode qui est connectée à la première région semi-conductrice; et une seconde électrode qui est connectée à la seconde région semi-conductrice. La concentration en impuretés dans la couche sensible au rayonnement adjacente à la première région semi-conductrice est discontinue par rapport à la première concentration en impuretés et la première surface principale sert en tant que limite entre ces dernières. La concentration en impuretés dans la couche sensible au rayonnement adjacente à la seconde région semi-conductrice est discontinue par rapport à la seconde concentration en impuretés et la seconde surface principale sert en tant que limite entre ces dernières. Un champ électrique est appliqué à la totalité de la couche sensible au rayonnement dans la direction de la profondeur à la tension utilisée pendant le fonctionnement.
(JA) SiCを用いた放射線検出器において、放射線有感層となるSiC結晶内全体に電界がかかる構造とし、放射線有感層で発生した電気信号の減少を抑えて放射線を検出する。 炭化珪素からなり、放射線の入射によって電子正孔対を生成する放射線有感層と、前記放射線有感層の第1主面で接し、少なくとも前記放射線有感層と接する領域において第1不純物濃度を有する第1半導体領域と、前記第1主面と反対側の第2主面で接し、少なくとも前記放射線有感層と接する領域において第2不純物濃度を有する第2半導体領域と、前記第1半導体領域と接続する第1電極と、前記第2半導体領域と接続する第2電極と、を備える放射線検出器であって、前記第1主面を境として、前記第1半導体領域と隣接する前記放射線有感層内の不純物濃度が前記第1不純物濃度と不連続であり、前記第2主面を境として、前記第2半導体領域と隣接する前記放射線有感層内の不純物濃度が前記第2不純物濃度と不連続であり、前記放射線有感層が動作時の電圧において深さ方向全体に電界がかかっている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)