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1. (WO2016140074) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/140074 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/054743
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 18.02.2016
CIB :
C30B 29/38 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/208 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38
Nitrures
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25
Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02
Croissance d'une couche épitaxiale
18
caractérisée par le substrat
20
le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
208
en utilisant un dépôt liquide
Déposants :
国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 大阪府吹田市山田丘1番1号 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP
住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区新川二丁目27番1号 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
Inventeurs :
森 勇介 MORI, Yusuke; JP
吉村 政志 YOSHIMURA, Masashi; JP
今出 完 IMADE, Mamoru; JP
柴田 真佐知 SHIBATA, Masatomo; JP
吉田 丈洋 YOSHIDA, Takehiro; JP
Mandataire :
平田 忠雄 HIRATA, Tadao; JP
Données relatives à la priorité :
2015-04183003.03.2015JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族窒化物半導体結晶基板の製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a method for manufacturing a group-III nitride semiconductor crystal substrate, comprising performing homoepitaxial growth of a group-III nitride single crystal by a vapor-phase growth method on the principal surface of a group-III nitride single crystal grown as a see crystal substrate by a liquid-phase growth method, the method for manufacturing a group-III nitride semiconductor crystal substrate wherein the principal surface of the seed crystal substrate is a +C surface, and the concentration of oxygen atoms in the crystal in the vicinity of the principal surface of the seed crystal substrate is 1×1017 cm-3 or less throughout the entire in-plane area thereof.
(FR) L'invention concerne un procédé pour la fabrication d'un substrat de cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III, qui comprend la réalisation d'une croissance homoépitaxiale d'un monocristal de nitrure du groupe III par un procédé de croissance en phase vapeur sur la surface principale d'un monocristal de nitrure du groupe III qui a grandi en tant que substrat de cristal germe par un procédé de croissance en phase liquide, le procédé étant destiné à fabriquer un substrat de cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III, la surface principale du substrat de cristal germe étant une surface +C et la concentration en atomes d'oxygène dans le cristal dans le voisinage de la surface principale du substrat de cristal germe étant 1×1017 cm-3 ou moins sur toute la zone correspondante dans le plan.
(JA) 液相成長法で成長させたIII族窒化物単結晶を種結晶基板として、その主面上に気相成長法でIII族窒化物単結晶をホモエピタキシャル成長させるIII族窒化物半導体結晶基板の製造方法において、前記種結晶基板の主面が+C面であり、前記種結晶基板は、面内全域に亘って、その主面近傍における結晶中の酸素原子濃度が1×1017cm-3以下である、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法が提供される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)