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1. (WO2016140074) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/140074    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/054743
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 18.02.2016
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/208 (2006.01)
Déposants : OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP).
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP)
Inventeurs : MORI, Yusuke; (JP).
YOSHIMURA, Masashi; (JP).
IMADE, Mamoru; (JP).
SHIBATA, Masatomo; (JP).
YOSHIDA, Takehiro; (JP)
Mandataire : HIRATA, Tadao; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-041830 03.03.2015 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族窒化物半導体結晶基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a group-III nitride semiconductor crystal substrate, comprising performing homoepitaxial growth of a group-III nitride single crystal by a vapor-phase growth method on the principal surface of a group-III nitride single crystal grown as a see crystal substrate by a liquid-phase growth method, the method for manufacturing a group-III nitride semiconductor crystal substrate wherein the principal surface of the seed crystal substrate is a +C surface, and the concentration of oxygen atoms in the crystal in the vicinity of the principal surface of the seed crystal substrate is 1×1017 cm-3 or less throughout the entire in-plane area thereof.
(FR)L'invention concerne un procédé pour la fabrication d'un substrat de cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III, qui comprend la réalisation d'une croissance homoépitaxiale d'un monocristal de nitrure du groupe III par un procédé de croissance en phase vapeur sur la surface principale d'un monocristal de nitrure du groupe III qui a grandi en tant que substrat de cristal germe par un procédé de croissance en phase liquide, le procédé étant destiné à fabriquer un substrat de cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III, la surface principale du substrat de cristal germe étant une surface +C et la concentration en atomes d'oxygène dans le cristal dans le voisinage de la surface principale du substrat de cristal germe étant 1×1017 cm-3 ou moins sur toute la zone correspondante dans le plan.
(JA)液相成長法で成長させたIII族窒化物単結晶を種結晶基板として、その主面上に気相成長法でIII族窒化物単結晶をホモエピタキシャル成長させるIII族窒化物半導体結晶基板の製造方法において、前記種結晶基板の主面が+C面であり、前記種結晶基板は、面内全域に亘って、その主面近傍における結晶中の酸素原子濃度が1×1017cm-3以下である、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)