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1. (WO2016136752) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE FABRIQUÉ EN UTILISANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/136752    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/055281
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 23.02.2016
CIB :
G03F 7/095 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1160012 (JP)
Inventeurs : MURAI Toshihiko; (JP).
HARA Kenji; (JP).
IRISAWA Masatomi; (JP)
Mandataire : HONDA Ichiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-037451 26.02.2015 JP
Titre (EN) PATTERN FORMATION METHOD AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURED USING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE FABRIQUÉ EN UTILISANT CELUI-CI
(JA) パターン形成方法およびこれを用いて製造した電子デバイス
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a pattern formation method for producing a laminate having excellent adhesion among layers of resist film, affording a high-definition pattern, and having high gas-barrier properties and solvent resistance; and an electronic device manufactured using the same. The pattern formation method includes (1) a step for using a composition to form a film on a support, (2) an exposure step for irradiating a prescribed section of the film with an active energy beam, and changing the developability of the prescribed section; and (3) a developing step for developing the film to obtain a pattern. A plurality of compositions that differ in solubility to the developing solution are used as the composition, and the resulting pattern has a multilayer structure.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation de motif pour produire un stratifié ayant une excellente adhérence entre des couches de films de résine photosensible, de manière à produire un motif à haute définition, et ayant des propriétés élevées de barrière aux gaz et de résistance aux solvants ; et un dispositif électronique fabriqué en utilisant celui-ci. Le procédé de formation de motif comprend (1) une étape d’utilisation d’une composition pour former un film sur un support, (2) une étape d'exposition pour irradier une section prescrite du film avec un faisceau d'énergie active, et modifier l'aptitude au développement de la section prescrite ; et (3) une étape de développement pour développer le film pour obtenir un motif. Une pluralité de compositions qui diffèrent en termes de solubilité dans la solution de développement sont utilisées en tant que composition, et le motif résultant a une structure multicouche.
(JA) レジスト膜の各層間の密着性に優れ、高精細なパターンを与え、ガスバリア性および耐溶剤性の高い積層体が得られるパターン形成方法およびこれを用いて製造した電子デバイスを提供する。 支持体に、組成物を用いて膜を形成する工程(1)と、膜の所定部分に活性エネルギー線を照射して所定部分の現像性を変化させる露光工程(2)と、膜を現像してパターンを得る現像工程(3)と、を含むパターン形成方法であり、組成物として、現像液に対する溶解性の互いに異なる複数の組成物を用い、得られるパターンが多層構造を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)