WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016136342) COMPOSITION DE POLISSAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/136342    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/051809
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 22.01.2016
CIB :
C09K 3/14 (2006.01), B24B 37/00 (2012.01), C09G 1/02 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502 (JP)
Inventeurs : YASUI, Akihito; (JP)
Mandataire : HATTA & ASSOCIATES; Dia Palace Nibancho, 11-9, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-033331 23.02.2015 JP
2015-192750 30.09.2015 JP
Titre (EN) POLISHING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE
(JA) 研磨用組成物
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a polishing composition with which it is possible, in at least one of the acidic, neutral, and basic ranges, to sufficiently control the polishing rate for an object to be polished having a silicon-silicon bond. [Solution] A polishing composition comprising (1) an organic compound having an active site that interacts with an object to be polished having a silicon-silicon bond, and a suppression site that suppresses the approach of a polishing constituent for polishing the object to be polished toward the object to be polished, (2) abrasive particles, and (3) a dispersion medium, wherein the active site is a specific substance or colloidal silica, and the polishing rate for the object to be polished having a silicon-silicon bond is suppressed in at least one of the acidic, neutral, and basic ranges.
(FR)L’invention vise à fournir une composition de polissage grâce à laquelle il est possible, dans au moins une des plages acide, neutre et basique, de contrôler suffisamment le taux de polissage pour un objet à polir ayant une liaison silicium-silicium. L’invention décrit une composition de polissage comprenant (1) un composé organique ayant un site actif qui interagit avec un objet à polir ayant une liaison silicium-silicium, et un site de suppression qui supprime l'approche d'un constituant de polissage pour polir l'objet à polir vers l'objet à polir, (2) des particules abrasives, et (3) un milieu de dispersion. Le site actif est une substance spécifique ou de la silice colloïdale, et le taux de polissage de l'objet à polir ayant une liaison silicium-silicium est supprimé dans au moins une des plages acide, neutre et basique.
(JA)【課題】酸性、中性または塩基性の少なくとも一つの領域でケイ素-ケイ素結合を有する研磨対象物の研磨速度を十分に制御することができる、研磨用組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】ケイ素-ケイ素結合を有する研磨対象物に相互作用する作用部位と、前記研磨対象物を研磨する研磨成分が、前記研磨対象物に接近することを抑制する、抑制部位と、を有する有機化合物と;(2)砥粒と;(3)分散媒と;を有し、前記作用部位が特定のものまたは前記コロイダルシリカである、酸性、中性または塩基性の少なくとも一つの領域で、前記ケイ素-ケイ素結合を有する研磨対象物の研磨速度を抑制する、研磨用組成物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)