Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2016124345 - PROCÉDÉ DE MÉTROLOGIE, APPAREIL DE MÉTROLOGIE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF

Numéro de publication WO/2016/124345
Date de publication 11.08.2016
N° de la demande internationale PCT/EP2016/050098
Date du dépôt international 06.01.2016
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
G01N 23/201 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
23Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement (ondes ou particules), p.ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes G01N3/-G01N17/201
20en utilisant la diffraction de la radiation par les matériaux, p.ex. pour rechercher la structure cristalline; en utilisant la diffusion de la radiation par les matériaux, p.ex. pour rechercher les matériaux non cristallins; en utilisant la réflexion de la radiation par les matériaux
201en mesurant la diffusion sous un petit angle, p.ex. la diffusion des rayons X sous un petit angle
G01N 21/956 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
956Inspection de motifs sur la surface d'objets
CPC
G03F 7/70591
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70591Testing optical components
G03F 7/70625
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70625Pattern dimensions, e.g. line width, profile, sidewall angle, edge roughness
G03F 7/70633
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70633Overlay
Déposants
  • ASML NETHERLANDS B.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • QUINTANILHA, Richard
Mandataires
  • BROEKEN, Petrus
Données relatives à la priorité
15153825.304.02.2015EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METROLOGY METHOD, METROLOGY APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE MÉTROLOGIE, APPAREIL DE MÉTROLOGIE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
Abrégé
(EN)
A pattern is applied to a substrate (W) by a lithographic apparatus (LA) as part of a lithographic manufacturing system. Structures are produced with features sizes less than 10 nm. The targets comprise gratings with a direction of periodicity (D). A detector 406 captures one or more diffraction spectra, to implement a small angle X-ray scattering (T-SAXS) metrology. Properties such as linewidth (CD) are calculated from the captured spectra for example by reconstruction. The irradiation direction defines a non-zero polar angle (Θ) relative to a direction (N) normal to the substrate and defines a non-zero azimuthal angle (φ) relative to the direction of periodicity (D), when projected onto a plane of the substrate. By selecting a suitable azimuthal angle, the diffraction efficiency of the target can be enhanced by a large factor. This allows measurement time to be reduced significantly compared with known techniques.
(FR)
Selon l'invention, un motif est appliqué sur un substrat (W) par un appareil lithographique (LA) faisant partie d'un système de fabrication lithographique. Des structures sont produites avec des tailles de caractéristiques inférieures à 10 nm. Les cibles comprennent des réseaux de diffraction ayant une direction de périodicité (D). Un détecteur (406) capture un ou plusieurs spectre(s) de diffraction, pour mettre en œuvre une métrologie par diffusion de rayons X aux petits angles (T-SAXS). Des propriétés, telles que largeur de raie (CD), sont calculées à partir des spectres capturés, par exemple, par reconstruction. La direction de rayonnement définit un angle polaire différent de zéro (Θ) par rapport à une direction (N) normale au substrat et définit un angle azimutal différent de zéro (φ) par rapport à la direction de périodicité (D), lorsqu'elle est projetée sur un plan du substrat. En sélectionnant un angle azimutal approprié, l'efficacité de diffraction de la cible peut être améliorée d'un facteur important. Ceci permet au temps de mesure d'être réduit de façon significative par comparaison avec les techniques connues.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international