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1. WO2016118651 - INSPECTION DE TRANCHE À JAUGEAGE VOLUMÉTRIQUE AVEC MISE AU POINT

Numéro de publication WO/2016/118651
Date de publication 28.07.2016
N° de la demande internationale PCT/US2016/014167
Date du dépôt international 20.01.2016
CIB
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G01N 2021/8887
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
8887based on image processing techniques
G01N 21/8851
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
G01N 21/9501
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
9501Semiconductor wafers
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
H01L 22/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
24Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
Déposants
  • KLA-TENCOR CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • CHEN, Grace H.
  • WELLS, Keith
  • HUBER, Markus
  • OH, Sebaek
Mandataires
  • MCANDREWS, Kevin
Données relatives à la priorité
15/001,15819.01.2016US
62/105,97921.01.2015US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) WAFER INSPECTION WITH FOCUS VOLUMETRIC METHOD
(FR) INSPECTION DE TRANCHE À JAUGEAGE VOLUMÉTRIQUE AVEC MISE AU POINT
Abrégé
(EN)
Disclosed are methods and apparatus for detecting defects in a semiconductor sample. An inspection tool is used to collect intensity data sets at a plurality of focus settings from each of a plurality of xy positions of the sample. A polynomial equation having a plurality of coefficients is extracted for each of the xy position's collected intensity data sets as a function of focus setting. Each of the coefficients' set of values for the plurality of xy positions is represented with a corresponding coefficient image plane. A target set of coefficient image planes and a reference set of coefficient image planes are then analyzed to detect defects on the sample.
(FR)
L'invention concerne des procédés et des appareils de détection de défauts dans un échantillon semi-conducteur. Un outil d'inspection est utilisé pour rassembler des ensembles de données d'intensité à une pluralité de réglages de mise au point, provenant de chaque position xy d'une pluralité de positions xy de l'échantillon. Une équation polynomiale, ayant une pluralité de coefficients, est extraite pour les ensembles de données d'intensité rassemblés pour chacune des positions xy en fonction du réglage de mise au point. L'ensemble des valeurs de chacun des coefficients pour la pluralité de positions xy est représenté par un plan d'image de coefficient correspondant. Un ensemble cible de plans d'image de coefficient et un ensemble de référence de plans d'image de coefficient sont ensuite analysés pour détecter des défauts sur l'échantillon.
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