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1. (WO2016118428) DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES HAUTE EFFICACITÉ ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/118428    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/013711
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 15.01.2016
CIB :
H01L 33/42 (2010.01), H01L 33/46 (2010.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 (US)
Inventeurs : DONOFRIO, Matthew; (US).
KAR, Pritish; (US).
HEIKMAN, Sten; (US).
GOLAKIA, Harshad; (US).
ACHARYA, Rajeev; (US).
DORA, Yuvaraj; (US)
Mandataire : HEYBL, Jaye, G.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/602,040 21.01.2015 US
Titre (EN) HIGH EFFICIENCY LEDS AND METHODS OF MANUFACTURING
(FR) DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES HAUTE EFFICACITÉ ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The application discloses a LED chip that can result in simpler manufacturing processes using fewer steps. The LED structure can have fewer layers than conventional LED chips with the layers arranged in three different ways for efficient fabrication and operation. The LED chips (50) comprise an active LED structure (52). One option is to have a dielectric reflective layer (60) is included adjacent to one of the oppositely doped layers and a metal reflective layer (62) is on the dielectric reflective layer (60), wherein the dielectric (60) and/or metal (62) reflective layers extend beyond the edge of said active region (52). By extending the dielectric layer, the LED chips can emit with more efficiency by reflecting more LED light to emit in the desired direction. By extending the metal reflective layer beyond the edge of the active region, the metal reflective layer can serve as a current spreading layer and barrier, in addition to reflecting LED light to emit in the desired direction. The other options to simplify the manufacturinn is that the LED chips comprise self- aligned and/or self-limiting features that simplify etching processes during fabrication.
(FR)La présente invention concerne des architectures de puce ou des constructions de puces de diodes électroluminescentes simplifiées pouvant permettre des processus de fabrication plus simples avec un nombre d'étapes réduit. La structure de diode électroluminescente peut avoir moins de couches que les puces LED classiques avec les couches disposées de différentes manières pour une fabrication et un fonctionnement efficace. Les puces LED (50) peuvent comporter une structure de diode électroluminescente active (52). Une couche réfléchissante (60) diélectrique est incluse adjacente à l'une des couches dopées de manière opposée. Une couche réfléchissante (62) métallique est située sur la couche réfléchissante (60)diélectrique, les couches réfléchissantes diélectrique (60) et métallique (62) s'étendant au-delà du bord de ladite région active (52). Grâce à l'extension de la couche diélectrique, les puces LED peuvent émettre avec plus d'efficacité par réflexion de plus de lumière LED dans la direction souhaitée. Grâce à l'extension de la couche réfléchissante métallique au-delà du bord de la région active, la couche réfléchissante métallique peut servir de couche d'étalement et de barrière de courant, outre de réfléchir la lumière LED à émettre dans la direction souhaitée. Les puces LED peuvent également comporter des éléments auto-alignés et d'auto-limitation qui simplifient des processus de gravure lors de la fabrication.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)