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1. WO2016114461 - DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE MESURE DE CHAMP ÉLECTRIQUE À L'AIDE D'UN CONDENSATEUR MOS

Numéro de publication WO/2016/114461
Date de publication 21.07.2016
N° de la demande internationale PCT/KR2015/007103
Date du dépôt international 09.07.2015
CIB
G01R 29/12 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
29Dispositions pour procéder aux mesures ou à l'indication de grandeurs électriques n'entrant pas dans les groupes G01R19/-G01R27/165
12Mesure du champ électrostatique
G01R 29/08 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
29Dispositions pour procéder aux mesures ou à l'indication de grandeurs électriques n'entrant pas dans les groupes G01R19/-G01R27/165
08Mesure des caractéristiques du champ électromagnétique
CPC
G01R 15/165
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
15Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00 and G01R33/00 - G01R35/00
14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
16using capacitive devices
165measuring electrostatic potential, e.g. with electrostatic voltmeters or electrometers, when the design of the sensor is essential
G01R 29/0814
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
29Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
08Measuring electromagnetic field characteristics
0807characterised by the application
0814Field measurements related to measuring influence on or from apparatus, components or humans
G01R 29/0878
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
29Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
08Measuring electromagnetic field characteristics
0864characterised by constructional or functional features
0878Sensors; antennas; probes; detectors
G01R 29/12
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
29Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
12Measuring electrostatic fields ; or voltage-potential
G01R 29/24
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
29Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
24Arrangements for measuring quantities of charge
H01L 27/0251
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0248for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
0251for MOS devices
Déposants
  • 서울대학교산학협력단 SNU R&DB FOUNDATION [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 민상렬 MIN, Sang Lyul
  • 이용훈 LEE, Yong Hun
Mandataires
  • 특허법인 무한 MUHANN PATENT & LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2015-000698414.01.2015KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) DEVICE AND METHOD FOR MEASURING ELECTRIC FIELD BY USING MOS CAPACITOR
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE MESURE DE CHAMP ÉLECTRIQUE À L'AIDE D'UN CONDENSATEUR MOS
(KO) MOS 커패시터를 이용한 전기장 측정 장치 및 방법
Abrégé
(EN)
One embodiment provides a technique of adjusting a gate voltage to be applied to at least one MOS capacitor and an amount of electric charges to be stored in the MOS capacitor so as to determine sensitivity of a change in the amount of electric charges stored in the MOS capacitor, and exposing the MOS capacitor to an electric filed for a predetermined amount of time and then reading an electron inflow or outflow result due to the electric field so as to interpret the intensity and the direction of the electric field, thereby measuring the intensity and the direction of the electric field.
(FR)
La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, une technique de réglage d'une tension de grille à appliquer à au moins un condensateur MOS et d'une quantité de charges électriques à stocker dans le condensateur MOS de manière à déterminer la sensibilité d'un changement dans la quantité de charges électriques stockées dans le condensateur MOS, et d'exposition du condensateur MOS à un champ électrique pendant une durée prédéfinie puis de lecture d'un résultat d'entrée ou de sortie d'électrons en raison du champ électrique de manière à analyser l'intensité et la direction du champ électrique, ce qui permet de mesurer l'intensité et la direction du champ électrique.
(KO)
일 실시예는 적어도 하나의 MOS 커패시터에 인가되는 게이트 전압 및 MOS 커패시터에 저장되는 전하량을 조절하여 MOS 커패시터에 저장된 전하량 변화의 민감도를 결정하고, 일정 시간 전기장에 노출시킨 후 전기장에 의한 전자의 유입 또는 유출의 결과를 판독하여 전기장의 세기 및 방향을 해석함으로써 전기장의 세기 및 방향을 측정하는 기술을 제공한다.
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