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1. (WO2016113314) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PLURALITÉ DE COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/113314    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/050579
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 13.01.2016
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/52 (2010.01), H01L 25/16 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : HÖPPEL, Lutz; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 100 575.1 15.01.2015 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PLURALITÉ DE COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) angegeben, wobei das Verfahren die Schritte umfasst : a) Bereitstellen eines Verbunds (3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (20), wobei der Verbund eine Mehrzahl von mechanisch miteinander verbundenen Bauelementbereichen (3) aufweist; b) Ausbilden einer Mehrzahl von Anschlussflächen (4) auf der Halbleiterschichtenfolge, wobei auf jedem Bauelementbereich zumindest eine Anschlussfläche ausgebildet wird; c) Ausbilden einer Formmasse (50) auf der Halbleiterschichtenfolge, wobei die Formmasse die Zwischenräume (45) zwischen den Anschlussflächen füllt; d) Vereinzeln des Verbunds mit der Formmasse, wobei beim Vereinzeln aus der Formmasse eine Mehrzahl von Formkörpern (5) gebildet wird, denen jeweils ein aus einem Bauelementbereich des Verbunds hervorgehender Halb leiterkörper (2) zugeordnet ist. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben.
(EN)The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components (1), wherein the method comprises the steps of: a) providing a composite (3) having a semiconductor layer sequence (20), wherein the composite has a plurality of component areas (3) which are mechanically connected to one another; b) forming a plurality of connecting surfaces (4) on the semiconductor layer sequence, wherein at least one connecting surface is formed on each component area; c) forming a moulding compound (50) on the semiconductor layer sequence, wherein the moulding compound fills the interstices (45) between the connecting surfaces; d) separating the composite with the moulding compound, wherein during separation a plurality of moulded bodies (5) are formed from the moulding compound, and a semiconductor body (2) originating from a component area of the composite is associated with said moulded bodies. The invention further relates to an optoelectronic semiconductor device.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’une pluralité de composants optoélectroniques à semi-conducteur (1), le procédé comprenant les étapes consistant à : a) fournir un composite (3) comprenant une succession de couches semi-conductrices (20), le composite comportant une pluralité de zones (3) de composant reliées mécaniquement les unes aux autres ; b) former une pluralité de surfaces de connexion (4) sur la succession de couches semi-conductrices, au moins une surface de connexion étant formée sur chaque zone de composant ; c) former une matière à mouler (50) sur la succession de couches semi-conductrices, la matière à mouler remplissant les interstices (45) entre les surfaces de connexion ; d) séparer le composite et la matière à mouler, une pluralité de corps moulés (5), auxquels est associé respectivement un corps à semi-conducteur (2) faisant saillie d’une zone de composant du composite, étant formés lors de la séparation à partir de la matière à mouler. L’invention concerne en outre un composant optoélectronique à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)