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1. WO2016113314 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PLURALITÉ DE COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2016/113314
Date de publication 21.07.2016
N° de la demande internationale PCT/EP2016/050579
Date du dépôt international 13.01.2016
CIB
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 33/52 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52Encapsulations
H01L 25/16 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
16les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux H01L27/-H01L51/129
CPC
H01L 25/167
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
16the devices being of types provided for in two or more different main groups of H01L27/00 - H01L49/00 ; and H01L51/00; , e.g. forming hybrid circuits
167comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
H01L 27/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 2933/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0033relating to semiconductor body packages
005relating to encapsulations
H01L 33/0075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0075comprising nitride compounds
H01L 33/0093
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • HÖPPEL, Lutz
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
10 2015 100 575.115.01.2015DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PLURALITÉ DE COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(DE)
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) angegeben, wobei das Verfahren die Schritte umfasst : a) Bereitstellen eines Verbunds (3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (20), wobei der Verbund eine Mehrzahl von mechanisch miteinander verbundenen Bauelementbereichen (3) aufweist; b) Ausbilden einer Mehrzahl von Anschlussflächen (4) auf der Halbleiterschichtenfolge, wobei auf jedem Bauelementbereich zumindest eine Anschlussfläche ausgebildet wird; c) Ausbilden einer Formmasse (50) auf der Halbleiterschichtenfolge, wobei die Formmasse die Zwischenräume (45) zwischen den Anschlussflächen füllt; d) Vereinzeln des Verbunds mit der Formmasse, wobei beim Vereinzeln aus der Formmasse eine Mehrzahl von Formkörpern (5) gebildet wird, denen jeweils ein aus einem Bauelementbereich des Verbunds hervorgehender Halb leiterkörper (2) zugeordnet ist. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben.
(EN)
The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components (1), wherein the method comprises the steps of: a) providing a composite (3) having a semiconductor layer sequence (20), wherein the composite has a plurality of component areas (3) which are mechanically connected to one another; b) forming a plurality of connecting surfaces (4) on the semiconductor layer sequence, wherein at least one connecting surface is formed on each component area; c) forming a moulding compound (50) on the semiconductor layer sequence, wherein the moulding compound fills the interstices (45) between the connecting surfaces; d) separating the composite with the moulding compound, wherein during separation a plurality of moulded bodies (5) are formed from the moulding compound, and a semiconductor body (2) originating from a component area of the composite is associated with said moulded bodies. The invention further relates to an optoelectronic semiconductor device.
(FR)
L’invention concerne un procédé de fabrication d’une pluralité de composants optoélectroniques à semi-conducteur (1), le procédé comprenant les étapes consistant à : a) fournir un composite (3) comprenant une succession de couches semi-conductrices (20), le composite comportant une pluralité de zones (3) de composant reliées mécaniquement les unes aux autres ; b) former une pluralité de surfaces de connexion (4) sur la succession de couches semi-conductrices, au moins une surface de connexion étant formée sur chaque zone de composant ; c) former une matière à mouler (50) sur la succession de couches semi-conductrices, la matière à mouler remplissant les interstices (45) entre les surfaces de connexion ; d) séparer le composite et la matière à mouler, une pluralité de corps moulés (5), auxquels est associé respectivement un corps à semi-conducteur (2) faisant saillie d’une zone de composant du composite, étant formés lors de la séparation à partir de la matière à mouler. L’invention concerne en outre un composant optoélectronique à semi-conducteur.
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