WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016113311) DISPOSITIF DE SÉPARATION POUR SÉPARER SANS CONTRAINTES DES GALETTES DE SUBSTRATS DONNEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/113311    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/050576
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 13.01.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.11.2016    
CIB :
B28D 5/00 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : SILTECTRA GMBH [DE/DE]; im TZDresden Nord - Haus "E" Manfred-von-Ardenne-Ring 20 01099 Dresden (DE)
Inventeurs : RICHTER, Jan; (DE)
Mandataire : ASCHERL, Andreas; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 000 450.6 15.01.2015 DE
Titre (DE) ABTRENNVORRICHTUNG ZUM SPANFREIEN ABTRENNEN VON WAFERN VON SPENDERSUBSTRATEN
(EN) SEPARATING DEVICE FOR THE CHIP-FREE CUTTING OF WAFERS OF DONOR SUBSTRATES
(FR) DISPOSITIF DE SÉPARATION POUR SÉPARER SANS CONTRAINTES DES GALETTES DE SUBSTRATS DONNEURS
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung (1) zum Abtrennen von mindestens einem Wafer von einem Spendersubstrat (2). Die erfindungsgemäße Vorrichtung (1) umfasst dabei mindestens ein Gehäuse (4) mit einem Aufnahmeraum (6) zum Aufnehmen von mindestens einer Mehrschichtanordnung (8) zumindest bestehend aus einem Spendersubstrat (2) und einer daran angeordneten oder erzeugen Aufnahmeschicht (10), und eine Beaufschlagungseinrichtung (12) zum kontaktlosen Beaufschlagen der Mehrschichtanordnung (8) zum Erzeugen von Rissführungsspannungen in der Mehrschichtanordnung (8).
(EN)The present invention relates to a device (1) for separating at least one wafer from a donor substrate (2). The device (1) according to the invention comprises at least a housing (4) with a receiving space (6) for receiving at least one multi-layer arrangement (8) which consists of at least one donor substrate (2) and a receiving layer (10) arranged or generated thereon, and an application device (12) for the contactless application of the multi-layer arrangement (8) for generating crack-conducting stresses in the multi-layer arrangement (8).
(FR)La présente invention concerne un dispositif (1) destiné à séparer au moins une galette d'un substrat donneur (2). Le dispositif (1) selon l'invention comprend ici au moins un boîtier (4) doté d'un espace d'accueil (6) servant à accueillir au moins un ensemble multicouche (8) constitué d'au moins un substrat donneur (2) et d'une couche réceptrice (10) disposée ou générée sur celui-ci, et un appareil de sollicitation (12) destiné à une sollicitation sans contact de l'ensemble multicouche (8) en vue de générer des tensions de passage de fissures dans l'ensemble multicouche (8).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)