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1. WO2016111280 - FILM MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE ET TRANSDUCTEUR PIÉZOÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2016/111280
Date de publication 14.07.2016
N° de la demande internationale PCT/JP2016/050092
Date du dépôt international 05.01.2016
CIB
H03H 9/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
24Détails de réalisation de résonateurs en matériau qui n'est ni piézo-électrique, ni électrostrictif, ni magnétostrictif
C23C 14/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06caractérisé par le matériau de revêtement
H03H 9/17 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
15Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif
17ayant un résonateur unique
CPC
C23C 14/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
C23C 14/0617
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
0617AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
H03H 2003/027
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
027the resonators or networks being of the microelectro-mechanical [MEMS] type
H03H 2003/0407
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
04for obtaining desired frequency or temperature coefficient
0407Temperature coefficient
H03H 2003/0435
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
04for obtaining desired frequency or temperature coefficient
0414Resonance frequency
0421Modification of the thickness of an element
0435of a piezoelectric layer
H03H 2009/0248
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02244of microelectro-mechanical resonators
02433Means for compensation or elimination of undesired effects
0248Strain
Déposants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 會田 康弘 AIDA, Yasuhiro
  • 梅田 圭一 UMEDA, Keiichi
Mandataires
  • 稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki
Données relatives à la priorité
2015-00109806.01.2015JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PIEZOELECTRIC THIN FILM AND PIEZOELECTRIC TRANSDUCER
(FR) FILM MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE ET TRANSDUCTEUR PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電薄膜及び圧電振動子
Abrégé
(EN)
Provided are a piezoelectric thin film and piezoelectric transducer that are capable of reducing stress while ensuring satisfactory piezoelectric characteristics. The piezoelectric thin film contains an AlN crystal, at least one first element able to replace Al in the AlN crystal, and a second element which has a smaller ionic radius than the first element, has a larger ionic radius than that of Al, and is added to the AlN crystal.
(FR)
L'invention concerne un film mince piézoélectrique et un transducteur piézoélectrique qui permettent de réduire les contraintes tout en assurant des caractéristiques piézoélectriques satisfaisantes. Le film mince piézoélectrique contient un cristal d'AlN, au moins un premier élément pouvant remplacer Al dans le cristal d'AlN, et un second élément qui présente un plus petit rayon ionique que le premier élément, présente un plus grand rayon ionique que Al, et est ajouté au cristal d'AlN.
(JA)
 圧電特性を十分に確保しつつ応力を低減することができる圧電薄膜及び圧電振動子を提供する。 圧電薄膜は、AlN結晶と、AlN結晶においてAlと置き換えられる少なくとも1つの第1元素と、第1元素のイオン半径よりも小さく、かつ、Alのイオン半径よりも大きなイオン半径を有し、AlN結晶に添加される第2元素と、を含有する。
Également publié en tant que
CN201680004869.0
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