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1. WO2016108667 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ATTAQUÉ PAR UNE TENSION ÉLEVÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2016/108667
Date de publication 07.07.2016
N° de la demande internationale PCT/KR2015/014574
Date du dépôt international 31.12.2015
CIB
H01L 33/06 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
04ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
H01L 33/0016
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0004Devices characterised by their operation
0008having p-n or hi-lo junctions
0016having at least two p-n junctions
H01L 33/0062
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
H01L 33/0066
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0066with a substrate not being a III-V compound
H01L 33/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01L 33/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
08with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
Déposants
  • 주식회사콘스탄텍 CONSTANTEC CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 최운용 CHOI, Woon Yong
Mandataires
  • 이정현 LEE, Jung Hyun
Données relatives à la priorité
10-2014-019495831.12.2014KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) HIGH-VOLTAGE-DRIVEN LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ATTAQUÉ PAR UNE TENSION ÉLEVÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a semiconductor light-emitting element having tunneling blocking layers interposed between adjacent active regions, wherein the tunneling blocking layers are semiconductor layers, which do not allow the movement of an electron or a hole at an applied voltage sufficient to activate only one active region among all active regions, and independently separate two adjacent active regions in a quantum region range, so that the semiconductor light-emitting element comprises multiple independent active regions in a vertical direction in a single chip and thus can be driven at high voltages.
(FR)
La présente invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur comportant des couches de blocage d'effet tunnel interposées entre des régions actives adjacentes, les couches de blocage d'effet tunnel étant des couches semi-conductrices qui ne permettent pas le déplacement d'un électron ou d'un trou à une tension appliquée suffisante pour activer une seule région active parmi toutes les régions actives, et séparent indépendamment deux régions actives adjacentes dans une plage de région quantique, de manière que l'élément électroluminescent à semi-conducteur comprenne de multiples régions actives indépendantes dans une direction verticale dans une seule puce et puisse donc être attaqué à des tensions élevées.
(KO)
본 발명은 인접한 활성영역 사이에 터널링 방지층이 협지되는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 상기 터널링 방지층은 전체 활성영역 중 어느 하나의 활성영역만을 활성화시키기에 충분한 인가전압 하에서는 전자 또는 정공이 이동할 수 없는 반도체층으로, 양자영역 범위에서 인접한 두 활성영역을 독립적으로 분리시켜, 반도체 발광소자는 단일 칩 내에서 수직방향으로 복수의 독립적인 활성영역을 포함하여, 고전압 구동이 가능한 것을 특징으로 한다.
Également publié en tant que
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