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1. (WO2016108636) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/108636    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/014509
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 30.12.2015
CIB :
H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/52 (2010.01)
Déposants : SEMICON LIGHT CO.,LTD. [KR/KR]; 3F 49, Wongomae-ro 2beon-gil, Giheung-gu Yongin-si Gyeonggi-do 446-901 (KR)
Inventeurs : BAEK, Seung Ho; (KR).
JEON, Soo Kun; (KR)
Mandataire : AN, Sang Jeong; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0193883 30.12.2014 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same, the semiconductor light emitting device comprising: a semiconductor light emitting chip having a semiconductor light emitting unit which generates light through a recombination of electrons and holes, and at least one electrode electrically connected to the semiconductor light emitting unit; a wall located on the side surface of the semiconductor light emitting unit, wherein the upper end of the wall is elevated by the surface tension thereof; and an encapsulation material which is formed in a bowl formed by the upper end of the wall and the semiconductor light emitting unit and through which light from the semiconductor light emitting unit penetrates.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteur et son procédé de fabrication, le dispositif électroluminescent à semi-conducteur comprenant : une puce électroluminescente à semi-conducteur comportant une unité électroluminescente à semi-conducteur qui génère de la lumière par le biais d'une recombinaison d'électrons et de trous, et au moins une électrode électriquement connectée à l'unité électroluminescente à semi-conducteur ; une paroi située sur la surface latérale de l'unité électroluminescente à semi-conducteur, l'extrémité supérieure de la paroi étant élevée du fait de sa tension superficielle ; et un matériau d'encapsulation qui est formé dans une cuvette formée par l'extrémité supérieure de la paroi et l'unité électroluminescente à semi-conducteur et que pénètre la lumière provenant de l'unité électroluminescente à semi-conducteur.
(KO)본 개시는 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부와, 반도체 발광부에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 전극을 가지는 반도체 발광칩(semiconductor light emitting chip); 반도체 발광부의 측면에 위치하는 벽(wall);으로서, 벽의 상단이 표면장력에 의해 상승된(elevated) 벽; 그리고 벽의 상단과 반도체 발광부가 형성하는 보울(bowl)에 형성되며, 반도체 발광부로부터의 빛이 통과하는 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 이의 제조방법(SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)