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1. (WO2016107294) PROCÉDÉ DE REMPLISSAGE DE TROU TRAVERSANT PAR DÉPÔT ÉLECTROLYTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/107294    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/094365
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 12.11.2015
CIB :
C25D 7/00 (2006.01), C25D 5/00 (2006.01), C25D 5/08 (2006.01), H05K 3/42 (2006.01)
Déposants : GUANGZHOU FASTPRINT CIRCUIT TECH CO., LTD. [CN/CN]; No. 33, Guangpuzhong Rd., Science City High-tech Industrial Development District Guangzhou, Guangdong 510663 (CN).
SHENZHEN FASTPRINT CIRCUIT TECH CO.,LTD. [CN/CN]; 3F, Section 1 Industrial Building No. 25, Nanshan Science & Technology Park, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518054 (CN).
YIXING SILICON VALLEY ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; Zhuqiao Rd., Economic Development District Yixing, Jiangsu 214200 (CN)
Inventeurs : XIE, Tianhua; (CN).
CUI, Zhengdan; (CN).
LI, Zhidong; (CN)
Mandataire : ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410856744.3 31.12.2014 CN
Titre (EN) METHOD FOR FILLING THROUGH HOLE BY ELECTROPLATING
(FR) PROCÉDÉ DE REMPLISSAGE DE TROU TRAVERSANT PAR DÉPÔT ÉLECTROLYTIQUE
(ZH) 一种电镀填通孔的方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for filling a through hole by electroplating. The method comprises the following steps: 1) using an electroplating device; 2) connecting a to-be-electroplated piece that has a through hole to the negative electrode of a power source, and placing the piece into an electroplating solution in an electroplating bath; 3) controlling the power source to work according to a control condition, and continuously electroplating the piece for T time, wherein T>0, the control condition is that: within an initial stage T1 period, a current density J1 of the to-be-electroplated piece ranges from 2 ASD to 3 ASD, and 30%≤T1/T≤50%; in a mid-term stage T2 period, a current density J2 of the to-be-electroplated piece ranges from 0.5 ASD to 1.5 ASD, and 20%≤T2/T≤40%; and in a terminal stage T3 period, a current density J3 of the to-be-electroplated piece ranges from 1.0 ASD to 2.0 ASD, T3=T-T1-T2,and J1>J3>J2. The method can relatively reduce time used for filling a through hole and helps to improve the production efficiency.
(FR)Cette invention concerne un procédé de remplissage d'un trou traversant par dépôt électrolytique. Ledit procédé comprend les étapes suivantes : 1) utiliser un dispositif de dépôt électrolytique; 2) connecter une pièce devant être traitée par dépôt électrolytique qui comprend un trou traversant, à l'électrode négative d'une source d'énergie, et disposer la pièce dans une solution de dépôt électrolytique dans un bain de dépôt électrolytique; 3) commander la source d'énergie de sorte à ce qu'elle fonctionne conformément à une condition de commande, et traiter en continu par dépôt électrolytique la pièce pendant un temps T, où T > 0, la condition de commande étant telle que : pendant une période T1 d'étape initiale, une densité de courant J1 de la pièce à traiter par dépôt électrolytique va de 2 ASD à 3 ASD, et 30 % ≤ T1/T ≤ 50 %, pendant une période T2 d'étape intermédiaire, une densité de courant J2 de la pièce à traiter par dépôt électrolytique va de 0,5 ASD à 1,5 ASD, et 20 % ≤ T2/T ≤ 40 %, et pendant une période T3 d'étape finale, une densité de courant J3 de la pièce à traiter par dépôt électrolytique va de 1,0 ASD à 2,0 ASD, T3 = T-T1-T2, et J1>J3>J2. Le procédé selon l'invention permet de réduire relativement le temps utilisé pour remplir un trou traversant et aide à améliorer le rendement de la production.
(ZH)一种电镀填通孔的方法,其包括以下步骤:1)采用电镀装置;2)将带有通孔的待镀件与所述电源的负极连接,并置于电镀槽的电镀溶液中;3)按控制条件控制电源工作,进行T时间的连续电镀,T>0;所述控制条件为:在初始阶段T1时间内,待镀件的电流密度J1为2-3ASD,30%≤T1/T≤50%,在中期阶段T2时间内,待镀件的电流密度J2为0.5-1.5ASD,20%≤T2/T≤40%,在末期阶段T3时间内,待镀件的电流密度J3为1.0-2.0ASD,T3=T-T1-T2,J1>J3>J2。该方法能相对降低通孔的填充时间,利于提高生产效率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)