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1. WO2016106947 - PLAQUE DE MASQUE DE TYPE COMBINÉ ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION

Numéro de publication WO/2016/106947
Date de publication 07.07.2016
N° de la demande internationale PCT/CN2015/072597
Date du dépôt international 09.02.2015
CIB
H01L 51/56 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
56Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
C23C 14/042
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
042using masks
G03F 1/64
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
64characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
G03F 1/68
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
G03F 1/80
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
80Etching
H01L 51/0011
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
0008using physical deposition, e.g. sublimation, sputtering
0011selective deposition, e.g. using a mask
H01L 51/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
56Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof
Déposants
  • 深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 吴聪原 WU, Tsungyuan
  • 刘亚伟 LIU, Yawei
Mandataires
  • 深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE
Données relatives à la priorité
201410851833.931.12.2014CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) COMBINATION TYPE MASK PLATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PLAQUE DE MASQUE DE TYPE COMBINÉ ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(ZH) 组合式掩模板及其制作方法
Abrégé
(EN)
A combination type mask plate and a manufacturing method therefor. The combination type mask plate comprises a mask frame (1), a plurality of first shading plates (2) and a plurality of second shading plates (3). The first shading plates (2) and the second shading plates (3) overlap and form a mesh-shaped structure having a plurality of film-forming holes (4). The thickness of the first shading plates (2) is equal to that of the second shading plates (3). First grooves (21) penetrating through the first shading plates (2) in the width direction are formed in the portions of the first shading plates (2) overlapping with the second shading plates (3). Second grooves (31) penetrating through the second shading plates (3) in the width direction are formed in the portions of the second shading plates (3) overlapping with the first shading plates (2). The first shading plates (2) and the second shading plates (3) are embedded and overlap by means of the first grooves (21) and the second grooves (31), and the upper surfaces and the lower surfaces of the first shading plates (2) and the second shading plates (3) are separately located in the same plane.
(FR)
Plaque de masque de type combiné et procédé pour sa fabrication. La plaque de masque de type combiné comporte un cadre (1) de masque, une pluralité de premières plaques (2) d'occultation et une pluralité de deuxièmes plaques (3) d'occultation. Les premières plaques (2) d'occultation et les deuxièmes plaques (3) d'occultation se recouvrent et forment une structure en forme de maillage présentant une pluralité de trous (4) de formation de film. L'épaisseur des premières plaques (2) d'occultation est égale à celle des deuxièmes plaques (3) d'occultation. Des premières rainures (21) pénétrant à travers les premières plaques (2) d'occultation dans le sens de la largeur sont formées dans les parties des premières plaques (2) d'occultation en recouvrement avec les deuxièmes plaques (3) d'occultation. Des deuxièmes rainures (31) pénétrant à travers les deuxièmes plaques (3) d'occultation dans le sens de la largeur sont formées dans les parties des deuxièmes plaques (3) d'occultation en recouvrement avec les premières plaques (2) d'occultation. Les premières plaques (2) d'occultation et les deuxièmes plaques (3) d'occultation sont encastrées et se recouvrent au moyen des premières rainures (21) et des deuxièmes rainures (31), et les surfaces supérieures et les surfaces inférieures des premières plaques (2) d'occultation et des deuxièmes plaques (3) d'occultation sont situées séparément dans le même plan.
(ZH)
一种组合式掩膜板及其制作方法。该组合式掩膜板包括掩膜边框(1)、数条第一摭板(2)、及数条第二摭板(3);所述数条第一摭板(2)与数条第二摭板(3)相互交叠,形成具有多个成膜孔(4)的网格状结构;所述数条第一摭板(2)与数条第二摭板(3)的厚度相等;所述第一摭板(2)与第二摭板(3)交叠的部位设有贯穿该第一摭板(2)宽度的第一凹槽(21),所述第二摭板(3)与第一摭板(2)交叠的部位设有贯穿该第二摭板(3)宽度的第二凹槽(31);所述第一、第二摭板(2、3)通过第一、第二凹槽(21、31)相互嵌合、交叠,并使得所述第一、第二摭板(2、3)的上、下表面分别位于同一平面。
Également publié en tant que
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