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1. WO2016106892 - SUBSTRAT MATRICIEL, PANNEAU D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT MATRICIEL

Numéro de publication WO/2016/106892
Date de publication 07.07.2016
N° de la demande internationale PCT/CN2015/071168
Date du dépôt international 21.01.2015
CIB
G02F 1/1368 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362Cellules à adressage par une matrice active
1368dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
H01L 21/77 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
CPC
G02F 1/1368
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
1368in which the switching element is a three-electrode device
H01L 21/77
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
H01L 27/1222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
H01L 27/1248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1248with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
H01L 27/1262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
1262with a particular formation, treatment or coating of the substrate
Déposants
  • 深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 王聪 WANG, Cong
  • 杜鹏 DU, Peng
  • 陈黎暄 CHEN, Lixuan
Mandataires
  • 广州三环专利代理有限公司 GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO.. LTD
Données relatives à la priorité
201410849415.630.12.2014CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL, AND MANUFACTURING METHOD FOR ARRAY SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL, PANNEAU D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT MATRICIEL
(ZH) 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法
Abrégé
(EN)
An array substrate (10), display panel (1), and a manufacturing method for the array substrate (10); the array substrate (10) having a plurality of low-temperature polysilicon thin film transistors in a matrix, the array substrate (10) comprising: a substrate (101); a low-temperature polysilicon layer (104) disposed on the same surface as the substrate (101), a source electrode (107), a drain electrode (108) and a first conductive layer (112); the low-temperature polysilicon layer (104) is disposed at the middle of a surface of the substrate (101), the source electrode (107) and the drain electrode (108) are disposed at two sides of the low-temperature polysilicon layer (104), one end of the source electrode (107) is electrically connected to one end of the low-temperature polysilicon layer (104), one end of the drain electrode (108) is electrically connected to another end of the low-temperature polysilicon layer (104), and another end of the drain electrode (108) is electrically connected to the first conductive layer (112); an insulation layer (109) disposed on the low-temperature polysilicon layer (104), the source electrode (107), the drain electrode (108) and the first conductive layer (112); a gate electrode (110) disposed on the insulation layer (109) and corresponding to the low-temperature polysilicon layer (104); a passivation layer (111) layered on the gate electrode (110); and a second conductive layer (113) disposed on the passivation layer (111) and corresponding to the first conductive layer (112).
(FR)
La présente invention concerne un substrat matriciel (10), un panneau (1) d'affichage et un procédé de production pour le substrat matriciel (10) ; le substrat matriciel (10) ayant une pluralité de transistors en couches minces en silicium polycristallin basse température dans une matrice, le substrat matriciel (10) comprenant : un substrat (101) ; une couche (104) de silicium polycristallin basse température disposée sur la même face que le substrat (101), une électrode source (107), une électrode dévidoir (108) et une première couche conductrice (112) ; la couche (104) de silicium polycristallin basse température est disposée au milieu d'une face du substrat (101), l'électrode source (107) et l'électrode dévidoir (108) sont disposées de chaque côté de la couche (104) de silicium polycristallin basse température, une extrémité de l'électrode source (107) est connectée électriquement à une extrémité de la couche (104) de silicium polycristallin basse température, une extrémité de l'électrode dévidoir (108) est connectée électriquement à une autre extrémité de la couche (104) de silicium polycristallin basse température, et une autre extrémité de l'électrode dévidoir (108) est connectée électriquement à la première couche conductrice (112) ; une couche (109) d'isolation disposée sur la couche (104) de silicium polycristallin basse température, l'électrode source (107), l'électrode dévidoir (108) et la première couche conductrice (112) ; une électrode grille (110) disposée sur la couche (109) d'isolation et correspondant à la couche (104) de silicium polycristallin basse température ; une couche (111) de passivation stratifiée sur l'électrode grille (110) ; et une seconde couche conductrice (113) disposée sur la couche (111) de passivation et correspondant à la première couche conductrice (112).
(ZH)
一种阵列基板(10)、显示面板(1)及阵列基板(10)的制备方法。阵列基板(10)具有呈矩阵分布的多个低温多晶硅薄膜晶体管,阵列基板(10)包括:基板(101);设置在基板(101)同一表面的低温多晶硅层(104)、源极(107)、漏极(108)以及第一导电层(112),低温多晶硅层(104)设置于基板(101)的表面的中部,源极(107)及漏极(108)设置于低温多晶硅层(104)的两侧,且源极(107)的一端电连接低温多晶硅层(104)的一端,漏极(108)的一端电连接低温多晶硅层(104)的另一端,漏极(108)的另一端电连接第一导电层(112);绝缘层(109),绝缘层(109)设置于低温多晶硅层(104)、源极(107)、漏极(108)以及第一导电层(112)上;栅极(110),栅极(110)设置于绝缘层(109)上且对应低温多晶硅层(104)设置;钝化层(111),层叠设置于栅极(110)上;以及第二导电层(113),第二导电层(113)设置于钝化层(111)上且对应第一导电层(112)设置。
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